IRL7833PBF
品牌
英飞凌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=30 V, 150 A, 3引脚 TO-220AB封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 150 A |
| 最大漏源电压: | 30 V |
| 最大漏源电阻值: | 4 mΩ |
| 最大栅阈值电压: | 2.3V |
| 最小栅阈值电压: | 1.4V |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 封装类型: | TO-220AB |
| 安装类型: | 通孔 |
| 晶体管配置: | 单 |
| 引脚数目: | 3 |
| 通道模式: | 增强 |
| 类别: | 功率 MOSFET |
| 最大功率耗散: | 140000 mW |
| 典型关断延迟时间: | 21 ns |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 晶体管材料: | Si |
| 典型输入电容值@Vds: | 4170 pF@ 15 V |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 32 nC @ 4.5 V |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 典型接通延迟时间: | 18 ns |
| 高度: | 8.77mm |
| 系列: | HEXFET |
| 最高工作温度: | +175 °C |