FQU13N10LTU
品牌
ON
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO251
物料参数
| 安装类型: | 插件 |
| 湿气敏感性等级 (MSL): | 1（无限） |
| 是否无铅: | Yes |
| 漏源电流(Idss): | 10A |
| 阈值电压: | 2V |
| 原始制造商: | ON Semiconductor |
| 包装: | Tube packing |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 10A |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: | 5V，10V |
| 封装/外壳: | TO-251-3 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | America |
| FET功能: | - |
| Vgs(Max): | ±20V |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 栅极电荷(Qg): | 12nC@5V |
| 晶体管类型: | N沟道 |