AP2301GN

品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > 场效应管(MOSFET)
描述
p通道增强模式 VDS=20V VGS=±12V ID=2.6A SOT23

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:20V
功率耗散:1.38W
极性:P-沟道
连续漏极电流:2.6A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.60mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:55pF
栅极源极击穿电压:±12V
输入电容(Ci):270pF
工作温度:-55℃~+150℃
Vgs(Max):±12V
漏源电压(Vdss):20V
导通电阻(RDS(on):190mΩ
高度:1.25mm
零件状态:Active
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.4439
100+¥0.4143
300+¥0.3847
500+¥0.3551
2000+¥0.3403
5000+¥0.3314
包装:1 库存:0