AP2302GN-HF

品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±12V ID=3.2A SOT23

物料参数

安装类型:SMT
品牌:APEC
功率耗散:1.38W
阈值电压:1.2V
原始制造商:Advanced Power Electronics Corp.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@4.5V,3.6A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3.2A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.60mm
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:50pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:4.4nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):4.4nC
高度:1.08mm
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
1+¥0.4005
10+¥0.3682
30+¥0.3618
100+¥0.3424
包装:1 库存:0