AP2302GN-HF
品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±12V ID=3.2A SOT23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 20V |
| 阈值电压: | 1.2V |
| 额定功率: | 1.38W |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 3.2A |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±12V |
| 反向传输电容Crss: | 50pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 4.4nC |
| 原产国家: | China |
| 输入电容: | 145pF |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 4.4nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.4005 |
| 10+ | ¥0.3682 |
| 30+ | ¥0.3618 |
| 100+ | ¥0.3424 |
| 包装：1 | 库存：0 |