2SD1664Q(120-270)

品牌
JSCJ
供应商
分类
晶体管 > 通用三极管
描述
NPN 集射极击穿电压(Vceo):32V 集电极电流(Ic):2A 功率(Pd):500mW

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:JSCJ
功率耗散:500mW
集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO:32V
原始制造商:Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd
集射极击穿电压Vce(Max):32V
Vce饱和压降:800mV
包装:Tape/reel
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT89-3
元件生命周期:Active
工作温度:+150℃
集电极电流 Ic:2A
配置:单路
原产国家:China
最小包装:1000pcs
发射极与基极之间电压 VEBO:5V
零件状态:Active
DC电流增益(hFE):120~270
价格梯度 价格
20+¥0.2888
100+¥0.2625
500+¥0.2450
1000+¥0.2275
5000+¥0.2065
10000+¥0.1978
包装:20 库存:1000