AGM30P10AP
品牌
AGMSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=-30V VGS=±20V ID=-23A RDS(ON)=11mΩ@-10V DFN3.3X3.3-8
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 击穿电压: | -30V |
| 功率耗散: | 37W |
| 阈值电压: | 1.3V |
| 额定功率: | 3.5W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 9.6mΩ@10V,10A |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 23A |
| 封装/外壳: | DFN8_3.3X3.3MM |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 237pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 输入电容: | 1.38nF |
| 最小包装: | 5000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 32nC@10V |
| 高度: | 0.75mm |
| 零件状态: | Active |