AGM30P10AP
品牌
AGMSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=-30V VGS=±20V ID=-23A RDS(ON)=11mΩ@-10V DFN3.3X3.3-8
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | AGMSEMI |
| 功率耗散: | 37W |
| 阈值电压: | 1.3V |
| 额定功率: | 3.5W |
| 原始制造商: | AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 23A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 3.15 x 3.10mm |
| 封装/外壳: | DFN-8(3.3x3.3) |
| 反向传输电容Crss: | 237pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 原产国家: | China |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 32nC@10V |
| 零件状态: | Active |
| 高度: | 0.75mm |
| 类型: | 1个P沟道 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.7200 |
| 100+ | ¥0.6720 |
| 300+ | ¥0.6240 |
| 500+ | ¥0.5760 |
| 2000+ | ¥0.5520 |
| 5000+ | ¥0.5376 |
| 包装：1 | 库存：0 |