AP1332GEU-HF

品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±8V ID=0.6A SOT323

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:20V
原始制造商:Advanced Power Electronics Corp.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):
包装:Tape/reel
连续漏极电流:600mA
长x宽/尺寸:2.00 x 1.25mm
封装/外壳:SOT-323
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±8V
反向传输电容Crss:1.3pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
原产国家:China Taiwan
输入电容:60pF
Vgs(Max):1.25V
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
高度:0.95mm
零件状态:Active
引脚数:2Pin
价格梯度 价格
5+¥0.2750
20+¥0.2698
100+¥0.2594
包装:5 库存:100