TPN22006NH,LQ(S
品牌
东芝
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
Toshiba MOSFET, U-MOSVIII-H 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 21 A, 8引脚 TSON封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 21 A |
| 最大漏源电压: | 60 V |
| 封装类型: | TSON |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 8 |
| 最大漏源电阻值: | 64 mΩ |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 4V |
| 最小栅阈值电压: | 2V |
| 最大功率耗散: | 18 W |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 长度: | 3.1mm |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 12 nC @ 10 V |
| 正向二极管电压: | 1.2V |
| 系列: | U-MOSVIII-H |
| 宽度: | 3.1mm |
| 高度: | 0.85mm |
| 晶体管材料: | Si |