CMD4N65
制造商: CMOS 供应商:
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:650V 电流:4A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω
价格梯度 | 价格 |
---|---|
5+ | ¥1.4606 |
50+ | ¥1.1951 |
150+ | ¥1.0814 |
500+ | ¥0.9394 |
2500+ | ¥0.7742 |
5000+ | ¥0.7363 |
包装:5 | 库存:190 |
制造商: CMOS 供应商:
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:650V 电流:4A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω
价格梯度 | 价格 |
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5+ | ¥1.4606 |
50+ | ¥1.1951 |
150+ | ¥1.0814 |
500+ | ¥0.9394 |
2500+ | ¥0.7742 |
5000+ | ¥0.7363 |
包装:5 | 库存:190 |