PMGD370XN
品牌
安世半导体
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
安世半导体 MOSFET, N沟道, 双, Si, Vds=30 V, 1.5 A, 6引脚 SC-88封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 1.5 A |
| 最大漏源电压: | 30 V |
| 最大漏源电阻值: | 748 mΩ |
| 最大栅阈值电压: | 1.5V |
| 最小栅阈值电压: | 0.5V |
| 最大栅源电压: | -12 V、+12 V |
| 封装类型: | SC-88 |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 晶体管配置: | 隔离式 |
| 引脚数目: | 6 |
| 通道模式: | 增强 |
| 类别: | 功率 MOSFET |
| 最大功率耗散: | 410 mW |
| 宽度: | 1.35mm |
| 每片芯片元件数目: | 2 |
| 典型关断延迟时间: | 14 ns |
| 典型输入电容值@Vds: | 37 pF @ 25 V |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 高度: | 1mm |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 长度: | 2.2mm |
| 尺寸: | 2.2 x 1.35 x 1mm |
| 晶体管材料: | Si |
| 典型接通延迟时间: | 6.5 ns |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 0.65 nC @ 4.5 V |