RS20N90D

品牌
REASUNOS
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ TO252-3

物料参数

安装类型:SMT
品牌:REASUNOS
阈值电压:650mV@250μA
额定功率:80W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7mΩ@4.5V,20A
极性:N-沟道
连续漏极电流:90A
长x宽/尺寸:6.80 x 6.30mm
封装/外壳:TO-252(DPAK)
反向传输电容Crss:350pF@10V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
输入电容:4.8nF@10V
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):27nC@4.5V
类型:1个N沟道