IRF9952PBF
品牌
英飞凌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N/P沟道沟道, 双, Si, Vds=30 V, 2.3 A，3.5 A, 8引脚 SOIC封装
物料参数
| 通道类型: | N，P |
| 最大连续漏极电流: | 2.3 A，3.5 A |
| 最大漏源电压: | 30 V |
| 最大漏源电阻值: | 100 mΩ, 250 mΩ |
| 最大栅阈值电压: | 1V |
| 最小栅阈值电压: | 1V |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 封装类型: | SOIC |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 晶体管配置: | 隔离式 |
| 引脚数目: | 8 |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大功率耗散: | 2000 mW |
| 系列: | HEXFET |
| 高度: | 1.5mm |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 晶体管材料: | Si |
| 每片芯片元件数目: | 2 |
| 宽度: | 4mm |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 长度: | 5mm |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 6.1 nC @ 10 V，6.9 nC @ 10 V |