2N7002
品牌
安世半导体
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
安世半导体, 场效应管Mosfet, NMOS, SOT-23 (TO-236AB)封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 300 mA |
| 最大漏源电压: | 60 V |
| 封装类型: | SOT-23 (TO-236AB) |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 3 |
| 最大漏源电阻值: | 5 Ω |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 2.5V |
| 最小栅阈值电压: | 1V |
| 最大功率耗散: | 830 mW |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | -30 V、+30 V |
| 晶体管材料: | Si |
| 长度: | 3mm |
| 宽度: | 1.4mm |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 最高工作温度: | +150 °C |