PSMN026-80YS,115
品牌
安世半导体
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
安世半导体 MOSFET, N沟道, Si, Vds=80 V, 34 A, 4引脚 SOT-669封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 34 A |
| 最大漏源电压: | 80 V |
| 最大漏源电阻值: | 42 mΩ |
| 最大栅阈值电压: | 4V |
| 最小栅阈值电压: | 2V |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 封装类型: | SOT-669 |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 晶体管配置: | 单 |
| 引脚数目: | 4 |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大功率耗散: | 74 W |
| 高度: | 1.1mm |
| 长度: | 5mm |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 典型输入电容值@Vds: | 1200 pF @ 40 V |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 20 nC @ 10 V |
| 典型关断延迟时间: | 26 ns |
| 尺寸: | 5 x 4.1 x 1.1mm |
| 最高工作温度: | +175 °C |
| 晶体管材料: | Si |
| 典型接通延迟时间: | 15 ns |
| 宽度: | 4.1mm |
| 每片芯片元件数目: | 1 |