AGM40P100A

品牌
AGMSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 40V 95A 135W(Tc) 4.6mΩ

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:135W
阈值电压:1.6V@250μA
额定功率:135W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.6mΩ@10V,20A
极性:P-沟道
连续漏极电流:95A
长x宽/尺寸:4.98 x 5.83mm
封装/外壳:DFN5x6-8L
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
输入电容:5.7nF@20V
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):106nC@10V
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
1+¥1.4040
包装:1 库存:0