AGM4005LL

品牌
AGMSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 40V 350A 250W(Tc) 0.82mΩ

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:250W
阈值电压:1.7V@250μA
额定功率:300W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.82mΩ@10V,50A
极性:N-沟道
连续漏极电流:350A
长x宽/尺寸:9.90 x 10.40mm
封装/外壳:TOLL-8L
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
输入电容:5.44nF@20V
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):81nC@10V
类型:1个N沟道