AGM12T05A

品牌
AGMSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=120V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=7.5mΩ@4.5V DFN5X6-8

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
品牌:AGMSEMI
功率耗散:150W
阈值电压:1.6V
额定功率:125W
原始制造商:AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,20A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:100A
封装/外壳:DFN5x6-8L
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:31pF
工作温度:-55℃~+175℃(TJ)
输入电容:3.2nF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):120V
栅极电荷(Qg):88nC@60V
零件状态:Active
类型:1个N沟道