AGM12T05A
品牌
AGMSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=120V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=7.5mΩ@4.5V DFN5X6-8
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 击穿电压: | 120V |
| 阈值电压: | 1.6V |
| 额定功率: | 125W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 4.8mΩ@10V,20A |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 100A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 5.75mm |
| 封装/外壳: | DFN5x6-8L |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+175℃(TJ) |
| 原产国家: | China |
| 输入电容: | 3.2nF |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 120V |
| 栅极电荷(Qg): | 88nC@60V |
| 高度: | 1.00mm |