RSM120080Z

品牌
REASUNOS
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=1200V VGS=-10~+25V ID=28A RDS(ON)=80mΩ TO247-4

物料参数

安装类型:插件
品牌:REASUNOS
功率耗散:166W
阈值电压:2.4V
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ
沟道类型:1个N沟道
极性:N-沟道
连续漏极电流:28A
长x宽/尺寸:15.90 x 5.00mm
封装/外壳:TO-247-4
漏极电流:36A
反向传输电容Crss:11pF
栅极源极击穿电压:1200V
工作温度:-40℃~+150℃
输入电容:1475pF
漏源电压(Vdss):1.2KV
栅极电荷(Qg):79nC