AGM402D

品牌
AGMSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=3.1mΩ@4.5V TO252

物料参数

安装类型:SMT
品牌:AGMSEMI
功率耗散:125W
阈值电压:1.7V
额定功率:107W
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:120A
存储温度:-55℃~+175℃
长x宽/尺寸:6.75 x 6.30mm
封装/外壳:TO-252(DPAK)
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+175℃(TJ)
原产国家:China
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):112nC@10V
高度:2.50mm
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥1.6200
10+¥1.5600
100+¥1.4160
500+¥1.3440
包装:1 库存:0