AGM402D
品牌
AGMSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=3.1mΩ@4.5V TO252
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | AGMSEMI |
| 功率耗散: | 125W |
| 阈值电压: | 1.7V |
| 原始制造商: | AGMSEMI Semiconductor Technology Co., Ltd. |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 120A |
| 存储温度: | -55℃~+175℃ |
| 长x宽/尺寸: | 6.75 x 6.30mm |
| 封装/外壳: | TO-252(DPAK) |
| 反向传输电容Crss: | 320pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+175℃(TJ) |
| 原产国家: | China |
| 最小包装: | 2500pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 40V |
| 栅极电荷(Qg): | 112nC@10V |
| 高度: | 2.50mm |
| 类型: | 1个N沟道 |