CMF20120D
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分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET 晶体管
描述
Wolfspeed SiC N沟道 MOSFET CMF20120D, 42 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 42 A |
| 最大漏源电压: | 1200 V |
| 最大漏源电阻值: | 0.12 Ω |
| 最大栅阈值电压: | 4.8V |
| 最小栅阈值电压: | 3.2V |
| 最大栅源电压: | -5 V、+20 V |
| 封装类型: | TO-247 |
| 安装类型: | 通孔 |
| 引脚数目: | 3 |
| 晶体管配置: | 单 |
| 通道模式: | 增强 |
| 类别: | 功率 MOSFET |
| 最大功率耗散: | 215 W |
| 典型关断延迟时间: | 40 ns |
| 尺寸: | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| 长度: | 16.13mm |
| 典型接通延迟时间: | 13 ns |
| 宽度: | 5.21mm |
| 晶体管材料: | SiC |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 最高工作温度: | +135 °C |
| 高度: | 21.1mm |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 90.8 nC @ 0/20 V |
| 正向跨导: | 7.9S |
| 正向二极管电压: | 3.5V |
| 典型输入电容值@Vds: | 1915 pF @ 800 V |
| 最低工作温度: | -55 °C |