AGMSEMI

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.98nF@20V ,Vds=60V Id=5A Rds=32mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)