RSU12N65D

品牌
REASUNOS
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=12A RDS(ON)=450mΩ TO252-3

物料参数

安装类型:SMT
品牌:REASUNOS
阈值电压:4.5V@250μA
额定功率:80W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):390mΩ@10V,6A
极性:N-沟道
连续漏极电流:12A
长x宽/尺寸:6.60 x 7.10mm
封装/外壳:TO-252(DPAK)
反向传输电容Crss:5pF@100V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
输入电容:850pF@100V
漏源电压(Vdss):650V
栅极电荷(Qg):19nC@10V
类型:1个N沟道