RSU12N65F

品牌
REASUNOS
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=12A RDS(ON)=420mΩ TO220F-3

物料参数

安装类型:插件
品牌:REASUNOS
阈值电压:4V@250μA
额定功率:31W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,6A
极性:N-沟道
连续漏极电流:12A
长x宽/尺寸:10.16 x 4.70mm
封装/外壳:TO-220F-3
反向传输电容Crss:5pF@100V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
输入电容:850pF@100V
漏源电压(Vdss):650V
栅极电荷(Qg):19nC@10V
类型:1个N沟道