AGM4025D
品牌
AGMSEMI
供应商
描述
场效应管(MOSFET)@@类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：125A功率(Pd）：73.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：2.2mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）46nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.5nF@20V ,Vds=40v Id=125A Rds=2.2mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)