AGMSEMI

场效应管(MOSFET) 类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：3.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：17.5nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.31nF@10V ,Vds=20V Id=25A Rds=4.5mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3封装；