IRFB3806PBF
品牌
英飞凌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌 MOSFET, HEXFET 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 43 A, 3引脚 TO-220AB封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 43 A |
| 最大漏源电压: | 60 V |
| 最大漏源电阻值: | 16 mΩ |
| 最大栅阈值电压: | 4V |
| 最小栅阈值电压: | 2V |
| 最大栅源电压: | -20 V、+20 V |
| 封装类型: | TO-220AB |
| 安装类型: | 通孔 |
| 引脚数目: | 3 |
| 晶体管配置: | 单 |
| 通道模式: | 增强 |
| 类别: | 功率 MOSFET |
| 最大功率耗散: | 71 W |
| 典型关断延迟时间: | 49 ns |
| 晶体管材料: | Si |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 宽度: | 4.82mm |
| 尺寸: | 10.66 x 4.82 x 9.02mm |
| 典型输入电容值@Vds: | 1150 pF@ 50 V |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 22 nC @ 10 V |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 典型接通延迟时间: | 6.3 ns |
| 最高工作温度: | +175 °C |
| 系列: | HEXFET |
| 高度: | 9.02mm |
| 长度: | 10.66mm |