RS30N60D

品牌
REASUNOS
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A RDS(ON)=7.5mΩ TO252-3

物料参数

安装类型:SMT
品牌:REASUNOS
阈值电压:1.6V@250μA
额定功率:60W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.2mΩ@10V,25A
极性:N-沟道
连续漏极电流:60A
长x宽/尺寸:6.60 x 6.10mm
封装/外壳:TO-252(DPAK)
反向传输电容Crss:160pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
输入电容:2nF@15V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):23nC@10V
类型:1个N沟道