RS30P65D

品牌
REASUNOS
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=65A TO252-3

物料参数

安装类型:SMT
品牌:REASUNOS
阈值电压:1.8V@250μA
额定功率:83W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.1mΩ@10V,20A
极性:P-沟道
连续漏极电流:65A
长x宽/尺寸:6.60 x 6.10mm
封装/外壳:TO-252(DPAK)
反向传输电容Crss:175pF@15V
工作温度:-55℃~+175℃(TJ)
输入电容:3.57nF@15V
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):58nC@10V
类型:1个P沟道