2N7002W

品牌
HONGJIACHENG
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道,电流:115MA,耐压:60V

物料参数

封装/外壳:SOT-323
输入电容(Ci):50pF@25V
反向传输电容Crss:5pF@25V
工作温度:-55℃~+150℃
功率耗散:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
漏源电压(Vdss):60V
极性:N-沟道
连续漏极电流:115mA
导通电阻(RDS(on):5Ω@10V,0.5A
栅极电荷(Qg):1.6nC@10V
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
10+¥0.1725
100+¥0.1614
500+¥0.1503
2000+¥0.1336
5000+¥0.1280
10000+¥0.1247
包装:10 库存:4414