2N7002KN

品牌
TWTLSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs N-沟道 60V 200mA DFN1006-3L

物料参数

封装/外壳:DFN1006-3
安装类型:SMT
功率耗散:150mW
漏源电压(Vdss):60V
极性:N-沟道
连续漏极电流:200mA
高度:0.50mm
长x宽/尺寸:1.00 x 0.60mm
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
100+¥0.0823
500+¥0.0779
1000+¥0.0713
5000+¥0.0625
10000+¥0.0572
包装:100 库存:9946