CJ3139K
品牌
TWTLSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs P-沟道 20V 660mA DFN1006-3L
物料参数
| 封装/外壳: | DFN1006-3 |
| 安装类型: | SMT |
| 功率耗散: | 275mW |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 极性: | P-沟道 |
| 连续漏极电流: | 660mA |
| 高度: | 0.50mm |
| 长x宽/尺寸: | 1.00 x 0.60mm |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥0.1053 |
| 200+ | ¥0.0891 |
| 1000+ | ¥0.0837 |
| 2000+ | ¥0.0783 |
| 4000+ | ¥0.0745 |
| 8000+ | ¥0.0702 |
| 包装：10 | 库存：7975 |