发货周期: 3-10 个工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
| 库存 / 包装 / 其它 | 价格 |
FDG6332C
MOSFET
这些N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件经过专门设计，能以极小的尺寸提供极低的功耗，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的TSSOP-8和SSOP-6封装的应用。
|
库存：2662
包装：5 |
|
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
| 库存 / 包装 / 其它 | 价格 |
FDG6332C
场效应管（MOSFET）
ON SEMICONDUCTOR
20V N&P沟道Power Trench® MOSFET
|
库存：0
包装：1 商户: 北京京北通宇电子元件有限公司 更新时间： 2024年6月16日 19:55 |
|
发货周期: 6-10 工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
| 库存 / 包装 / 其它 | 价格 |
发货周期: 7-10 个工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
| 库存 / 包装 / 其它 | 价格 |
ONSEMI
|
库存：57461
包装：650 |
|
发货周期: 3-10 个工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
| 库存 / 包装 / 其它 | 价格 |
发货周期: 7-14 个工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
| 库存 / 包装 / 其它 | 价格 |
发货周期: 7-10 个工作日
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
| 库存 / 包装 / 其它 | 价格 |
图片
型号 / 分类
制造商 / DataSheet
描述
| 库存 / 包装 / 其它 | 价格 |