TTD18P10AT
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由于Trench MOS的沟逍是垂直的， 故可进一步提高具沟逍密度， 减小芯片尺寸， 降低导通电阻。 ）并且具有MOS器件的一切优点， 如： 开关速度快、 驱动功率小等。并联的元胞具有负的温度系数，有利于大电流和更宽的安全工作区的实现。
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