北京京北通宇电子元件有限公司

北京市直辖区海淀区

IRLML0030TRPBF

该款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,适用于30V电压系统,提供5.8A强大电流处理能力。具有出色的低导通电阻和快速开关性能,是充电器、电源转换及高功率电子设备的理想选择,确保高效稳定的功率控制与转换。

价格

1 : 0.098
100 : 0.0784
1000 : 0.0735

数量
北京京北通宇电子元件有限公司

京北通宇是一家具有平台性质的,以电子元器件分销为主体的全产业链公司。 主要经营的品牌包括: 连接器:TE、Molex、Phoenix、Delphi、Yazaki、JST、Sumitomo、JAE、Deutsch、Bosch、Hirose、KET、Amphenol、WAGO、ERNI、Samtec、Harwin、ITT、KUM、Weidmuller 模拟/数字芯片:TI、STMicroelectronics、Infineon、NXP、ADI、Atmel、Microchip、Maxim、Renesas、Xilinx、FTDI 存储芯片:Cypress、Miron、Intel、Altera、ISSI 射频芯片:Mini-Circuits、Qorvo、Broadcom、Skyworks 分立器件:ON Semiconductor、Nexperia、Vishay、Littelfuse、Diodes、LRC 无源元件:Murata、TDK、Yageo、Pulse、Epcos 传感器:Honeywell、TT Electronics、LEM、Sick、Bosch Sensortec、Sensirion、Allegro、Invensense 开关和继电器:Omron、Cherry、C&K、Panasonic、Fujitsu、Alps 滤波器:Schaffner 电源:CUI、XP Power、Recom、Vicor

产品参数
参数名称 参数值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 27 毫欧 @ 5.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 382 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
等级 -
资质 -
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 Micro3™/SOT-23
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3