ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC
Alpha and Omega Semiconductor is committed to excellence in design, manufacturing, and responsiveness to our customers through the continued development of new technologies, products and innovative solutions.
商品列表
AOTF10N50FD_001
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 750 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3F 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 35 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1240 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 750 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3F 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 35 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1240 pF @ 25 V
AOTF5N50
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.5 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 35W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3F 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 620 pF @ 25 V 基本产品编号: AOTF5
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.5 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 35W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3F 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 620 pF @ 25 V 基本产品编号: AOTF5
AOWF10T60P
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 10A TO262F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 700毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 28W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-262F 封装/外壳: TO-262-3 整包，I²Pak 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 40 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1595 pF @ 100 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 10A TO262F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 700毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 28W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-262F 封装/外壳: TO-262-3 整包，I²Pak 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 40 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1595 pF @ 100 V
AO4622
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET N/P-CH 20V 7.3A/5A 8-SOIC
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停產 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 23 毫欧 @ 7.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1100pF @ 10V 功率 - 最大值: 2W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET N/P-CH 20V 7.3A/5A 8-SOIC
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停產 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 23 毫欧 @ 7.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1100pF @ 10V 功率 - 最大值: 2W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC
AON6506
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 33A/36A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Ta），36A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 4.2W（Ta），83W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（5x6） 封装/外壳: 8-PowerSMD，扁平引线 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 60 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2719 pF @ 15 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 33A/36A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Ta），36A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 4.2W（Ta），83W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（5x6） 封装/外壳: 8-PowerSMD，扁平引线 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 60 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2719 pF @ 15 V
AOI1N60L
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9 欧姆 @ 650mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 45W（Tc） 工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-251A 封装/外壳: TO-251-3 短截引线，IPak 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 160 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9 欧姆 @ 650mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 45W（Tc） 工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-251A 封装/外壳: TO-251-3 短截引线，IPak 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 160 pF @ 25 V
AOTF12N65A
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 12A TO220F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: * 包装: 散装 零件状态: 停產 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 12A TO220F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: * 包装: 散装 零件状态: 停產 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
AOI360A70
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 700V 12A TO251A
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: aMOS5™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 360 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 138W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-251A 封装/外壳: TO-251-3 短截引线，IPak 漏源电压（Vdss）: 700 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22.5 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1360 pF @ 100 V 基本产品编号: AOI360
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 700V 12A TO251A
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: aMOS5™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 360 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 138W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-251A 封装/外壳: TO-251-3 短截引线，IPak 漏源电压（Vdss）: 700 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22.5 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1360 pF @ 100 V 基本产品编号: AOI360
AOZ8000CIL
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 5V 15V SOT23-6
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 类型: 转向装置（轨至轨） 电压 - 反向断态（典型值）: 5V 电压 - 击穿（最小值）: 6.6V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 15V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 5A（8/20µs） 功率 - 峰值脉冲: 60W 电源线路保护: 是 应用: 以太网 不同频率时电容: 1.85pF @ 1MHz 工作温度: -55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 供应商器件封装: SOT-23-6 单向通道: 4
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 5V 15V SOT23-6
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 类型: 转向装置（轨至轨） 电压 - 反向断态（典型值）: 5V 电压 - 击穿（最小值）: 6.6V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 15V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 5A（8/20µs） 功率 - 峰值脉冲: 60W 电源线路保护: 是 应用: 以太网 不同频率时电容: 1.85pF @ 1MHz 工作温度: -55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 供应商器件封装: SOT-23-6 单向通道: 4
AOT20B65M1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 650V 20A TO220
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: Alpha IGBT™ 包装: 管件 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，20A 开关能量: 470µJ（开），270µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 26ns/122ns 测试条件: 400V，20A，15 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220 电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 40 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A 功率 - 最大值: 227 W 栅极电荷: 46 nC 反向恢复时间 (trr): 322 ns 基本产品编号: AOT20B65
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 650V 20A TO220
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: Alpha IGBT™ 包装: 管件 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，20A 开关能量: 470µJ（开），270µJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 26ns/122ns 测试条件: 400V，20A，15 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: TO-220 电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 40 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A 功率 - 最大值: 227 W 栅极电荷: 46 nC 反向恢复时间 (trr): 322 ns 基本产品编号: AOT20B65