ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC
Alpha and Omega Semiconductor is committed to excellence in design, manufacturing, and responsiveness to our customers through the continued development of new technologies, products and innovative solutions.
商品列表
AON4807
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: 2 个 P 沟道（双） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 68 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 290pF @ 15V 功率 - 最大值: 1.9W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SMD，扁平引线 供应商器件封装: 8-DFN（3x2）
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: 2 个 P 沟道（双） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 68 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 290pF @ 15V 功率 - 最大值: 1.9W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SMD，扁平引线 供应商器件封装: 8-DFN（3x2）
AON2401
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 8V 8A 6DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停产 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 22 毫欧 @ 8A，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 650mV @ 250µA Vgs（最大值）: ±5V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.8W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 6-DFN-EP（2x2） 封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘 漏源电压（Vdss）: 8 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18 nC @ 4.5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1465 pF @ 4 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 8V 8A 6DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停产 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 22 毫欧 @ 8A，2.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 650mV @ 250µA Vgs（最大值）: ±5V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.8W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 6-DFN-EP（2x2） 封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘 漏源电压（Vdss）: 8 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18 nC @ 4.5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1465 pF @ 4 V
AOD4286
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N CH 100V 4A TO252
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta），14A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 68 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.9V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），30W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 390 pF @ 50 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N CH 100V 4A TO252
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta），14A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 68 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.9V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），30W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 390 pF @ 50 V
AOD518_050
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 15A/54A TO252
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Ta），54A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22.5 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 951 pF @ 15 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 15A/54A TO252
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Ta），54A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22.5 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 951 pF @ 15 V
AOT292L
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 105A TO220
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14.5A（Ta），105A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 126 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6775 pF @ 50 V 基本产品编号: AOT292
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 105A TO220
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14.5A（Ta），105A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 126 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6775 pF @ 50 V 基本产品编号: AOT292
AOZ5038QI
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: MOD SYNC BUCK POWER STAGE 40A 25
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 类型: MOSFET 配置: 单相 电压 - 隔离: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 31-PowerVFQFN 模块 电流: 50 A 基本产品编号: AOZ5038
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: MOD SYNC BUCK POWER STAGE 40A 25
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 类型: MOSFET 配置: 单相 电压 - 隔离: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 31-PowerVFQFN 模块 电流: 50 A 基本产品编号: AOZ5038
AOTF11N62
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 620V 11A TO220-3F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3F 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 620 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 37 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1990 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 620V 11A TO220-3F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3F 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 620 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 37 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1990 pF @ 25 V
AOB414_001
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SDMOS™ 包装: 散装 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.6A（Ta），51A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），150W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D²Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2200 pF @ 50 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SDMOS™ 包装: 散装 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.6A（Ta），51A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），150W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D²Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2200 pF @ 50 V
AOD210
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 23A/70A TO252
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A（Ta），70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.7W（Ta），150W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 58 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4300 pF @ 15 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 23A/70A TO252
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A（Ta），70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.7W（Ta），150W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 58 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4300 pF @ 15 V
AON6974
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停產 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A，30A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22.5nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 951pF @ 15V 功率 - 最大值: 3.6W，4.3W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-DFN（5x6）
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停產 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A，30A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22.5nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 951pF @ 15V 功率 - 最大值: 3.6W，4.3W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-DFN（5x6）