MCC(美微科)
商品列表
BZX84C6V2-TP
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: 二极管-齐纳-6.2V-350mW-±6%-表面贴装型-SOT-23
安装类型: 表面贴装型 阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900mV @ 10mA 功率 - 最大值: 350mW 工作温度: -55°C ~ 150°C 容差: ±6% 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3µA @ 4V 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 6.2V
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: 二极管-齐纳-6.2V-350mW-±6%-表面贴装型-SOT-23
安装类型: 表面贴装型 阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900mV @ 10mA 功率 - 最大值: 350mW 工作温度: -55°C ~ 150°C 容差: ±6% 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3µA @ 4V 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 6.2V
MCAC53N06Y-TP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFET N-CH 60V 53A DFN5060
制造商: Micro Commercial Co 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 53A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 70W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN5060 封装/外壳: 8-PowerTDFN 漏源电压（Vdss）: 60V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 31nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1988pF @ 30V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFET N-CH 60V 53A DFN5060
制造商: Micro Commercial Co 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 53A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 70W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DFN5060 封装/外壳: 8-PowerTDFN 漏源电压（Vdss）: 60V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 31nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1988pF @ 30V
SM4003PL-TP
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 二极管-标准-200V-1A-表面贴装型-SOD-123FL
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1V @ 1A 安装类型: 表面贴装型 二极管类型: 标准 不同 Vr、F 时电容: - 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 200V 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 二极管-标准-200V-1A-表面贴装型-SOD-123FL
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1V @ 1A 安装类型: 表面贴装型 二极管类型: 标准 不同 Vr、F 时电容: - 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 200V 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
BZX84C24-TP
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: 二极管-齐纳-24V-350mW-±6%-表面贴装型-SOT-23
安装类型: 表面贴装型 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900mV @ 10mA 功率 - 最大值: 350mW 工作温度: -55°C ~ 150°C 容差: ±6% 阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100nA @ 16.8V
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: 二极管-齐纳-24V-350mW-±6%-表面贴装型-SOT-23
安装类型: 表面贴装型 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900mV @ 10mA 功率 - 最大值: 350mW 工作温度: -55°C ~ 150°C 容差: ±6% 阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100nA @ 16.8V
BZT52C3V6S-TP
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD323
制造商: Micro Commercial Co 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 容差: ±6% 工作温度: -65°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.6V 功率 - 最大值: 200mW 阻抗（最大值）(Zzt): 90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 1V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900mV @ 10mA 基本产品编号: BZT52C3V6
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD323
制造商: Micro Commercial Co 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 容差: ±6% 工作温度: -65°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.6V 功率 - 最大值: 200mW 阻抗（最大值）(Zzt): 90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 1V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900mV @ 10mA 基本产品编号: BZT52C3V6
MCU18P10Y-TP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFET P-CH 100V 18A DPAK
制造商: Micro Commercial Co 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Tc） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 70W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D-PAK 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 100V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 20nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1050pF @ 80V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFET P-CH 100V 18A DPAK
制造商: Micro Commercial Co 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Tc） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 70W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D-PAK 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 100V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 20nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1050pF @ 80V
SI2302A-TP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 72 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V @ 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 237pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.25W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 72 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V @ 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10nC @ 4.5V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 237pF @ 10V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.25W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
ER2J-LTP
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复/超快恢复二极管
描述: 二极管-标准-600V-2A-表面贴装型-DO-214AA（SMB）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7V @ 2A 安装类型: 表面贴装型 二极管类型: 标准 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 600V 速度: 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz 反向恢复时间 (trr): 35ns 电流 - 平均整流 (Io): 2A 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600V
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复/超快恢复二极管
描述: 二极管-标准-600V-2A-表面贴装型-DO-214AA（SMB）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7V @ 2A 安装类型: 表面贴装型 二极管类型: 标准 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 600V 速度: 快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz 反向恢复时间 (trr): 35ns 电流 - 平均整流 (Io): 2A 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600V