GOFORD

GC11N65T
供应商: Anychip Mall
分类: GC11N65T
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道 650V 11A 360mΩ@10V

GT1003B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

G06N10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：240mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N管，100V,6A,开启2.0V, 195mΩ@10V

TL431-0.5%
供应商: Anychip Mall
分类: 电压基准芯片

G80N03
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N管,30V,80A

GT15N10S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

18N10W
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.9V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：47W(Tc) 类型：N沟道

G3401L
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: THERMISTOR NTC 10KOHM 3380K 0603

2301
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: THERMISTOR NTC 10KOHM 3380K 0603

G30N03A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.3V@250μA N管，30V,30A,开启1.5V, 6.3mΩ@10V, 9.2mΩ@4.5V