BORN伯恩半导体

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DSS24
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 SOD-123FL VRRM=40V Io=2A IR=0.5mA
工作温度: -65~+125℃(TJ) 安装类型: SMT 包装: Tape/Reel 封装/外壳: SOD123FL 组态: Single 反向峰值电压(最大值): 40V 反向耐压VR(max): 40V 平均整流电流IF: 2A 反向漏电流IR: 500µA 引脚数: 2Pins 存储温度: -65~+150℃ 最小包装: 3000pcs 品牌: BORNSEMI 是否无铅: Yes 元件生命周期: Active 零件状态: Active Vf正向峰值电压: 550mV 原始制造商: BORN SEMICONDUCTOR 原产国家: China 正向压降VF Max: 0.55V
BSD3C361V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 40V SOD-323
最大安装高度: 1.00mm 安装类型: SMT 包装: Tape/Reel 钳位电压 VC: 75V 峰值脉冲电流(Ipp): 4A 封装/外壳: SOD323 极性(单双向): Bidirectional 工作温度: -55~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.80 × 1.40mm 最小包装: 3000pcs 是否无铅: Yes 品牌: BORN 无卤: Yes 认证信息: RoHS 元件生命周期: Active 应用: Computer Server,Industrial,Consumer 零件状态: Active 反向击穿电压Min: 40 原始制造商: Bourne semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. 原产国家: China
SS8050
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,1V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) transistors,NPN 25V 1500mA 300mW,SOT-23
包装: Tape/reel 集电极电流Ic(Max): 1.5A DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 功率(Max): 300mW 封装/外壳: SOT-23 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 跃迁频率: 100MHz 工作温度(Tj): 150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) Vce饱和压降(Max): 500mV 是否无铅: Yes 额定功率: 300mW 最小包装: 3000pcs 高度: 1.00mm 极性: NPN 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 品牌: BORN伯恩半导体 功率耗散: 300mW 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 500mV