ON(安森美)
商品列表
MMBZ5230BLT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 二极管-齐纳-4.7V-225mW-±5%-表面贴装型-SOT-23-3（TO-236）
安装类型: 表面贴装型 工作温度: -65°C ~ 150°C 阻抗（最大值）(Zzt): 19 Ohms 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 4.7V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900mV @ 10mA 功率 - 最大值: 225mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 2V 容差: ±5% 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 4.7V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 225mW 阻抗（最大值）(Zzt): 19 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 2V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900mV @ 10mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 二极管-齐纳-4.7V-225mW-±5%-表面贴装型-SOT-23-3（TO-236）
安装类型: 表面贴装型 工作温度: -65°C ~ 150°C 阻抗（最大值）(Zzt): 19 Ohms 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 4.7V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900mV @ 10mA 功率 - 最大值: 225mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 2V 容差: ±5% 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 4.7V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 225mW 阻抗（最大值）(Zzt): 19 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5µA @ 2V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900mV @ 10mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
SZESD7205WTT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）: 5.2V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 12.5V（标准） 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12A 功率 - 峰值脉冲: - 电源线路保护: 无 应用: 汽车级 不同频率时电容: 0.4pF @ 1MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SC-70-3（SOT323）
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）: 5.2V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 12.5V（标准） 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 12A 功率 - 峰值脉冲: - 电源线路保护: 无 应用: 汽车级 不同频率时电容: 0.4pF @ 1MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SC-70-3（SOT323）
NDS351AN
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 500mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SuperSOT-3 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 30V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 145pF @ 15V 基本产品编号: NDS351
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 500mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SuperSOT-3 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 30V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 145pF @ 15V 基本产品编号: NDS351