KUU
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KMA729-7-F
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:30V 电流:300mA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):550mV@200mA 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):300mA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: KUU 总电容C: 30pF 原始制造商: KUU SEMICONDUCTOR 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.30mm 封装/外壳: SOD323 反向漏电流IR: 50µA 元件生命周期: Active 原产国家: China 平均整流电流IF: 200mA 电流-DC正向（If）: 300mA 反向耐压VR: 30V 工作温度-结: 150°C 反向恢复时间(trr): 3ns 零件状态: Active 高度: 0.90mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:30V 电流:300mA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):550mV@200mA 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):300mA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: KUU 总电容C: 30pF 原始制造商: KUU SEMICONDUCTOR 正向压降VF: 550mV 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.30mm 封装/外壳: SOD323 反向漏电流IR: 50µA 元件生命周期: Active 原产国家: China 平均整流电流IF: 200mA 电流-DC正向（If）: 300mA 反向耐压VR: 30V 工作温度-结: 150°C 反向恢复时间(trr): 3ns 零件状态: Active 高度: 0.90mm 引脚数: 2Pin
ESD0524P
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: 封装/外壳：DFN2510 反向工作电压Vrwm：5V 反向击穿电压Vbr：6V 钳位电压Vc：15V 峰值脉冲电流Ipp：4A
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: 封装/外壳：DFN2510 反向工作电压Vrwm：5V 反向击穿电压Vbr：6V 钳位电压Vc：15V 峰值脉冲电流Ipp：4A
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件
ESD3Z5.0C
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(最小值)：5.6V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8/20μs：8A 最大钳位电压：16V
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 封装/外壳: SOD-323
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(最小值)：5.6V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8/20μs：8A 最大钳位电压：16V
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 封装/外壳: SOD-323
K1812L300/12DR
供应商: Anychip Mall
分类: 自恢复保险丝
描述: PPTC自恢复保险丝
安装类型: SMT 品牌: KUU 熔断电流: 6A 包装: Tape/Reel 耗散功率（Max）: 1.2W 长x宽/尺寸: 4.73 x 3.41mm 额定电压DC: 12V 额定电流: 100A 封装/外壳: 1812 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+85℃ 电阻-跳断后（R1）（最大值）: 60mΩ 最大工作电压: 12V 跳闸动作电流（It）: 6A 保持电流（Ih）: 3A 电阻-初始（Ri）（最小值）: 12mΩ 最小包装: 1500pcs 熔断时间: 5sec 高度: 1.00mm 电流-最大值: 100A
供应商: Anychip Mall
分类: 自恢复保险丝
描述: PPTC自恢复保险丝
安装类型: SMT 品牌: KUU 熔断电流: 6A 包装: Tape/Reel 耗散功率（Max）: 1.2W 长x宽/尺寸: 4.73 x 3.41mm 额定电压DC: 12V 额定电流: 100A 封装/外壳: 1812 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+85℃ 电阻-跳断后（R1）（最大值）: 60mΩ 最大工作电压: 12V 跳闸动作电流（It）: 6A 保持电流（Ih）: 3A 电阻-初始（Ri）（最小值）: 12mΩ 最小包装: 1500pcs 熔断时间: 5sec 高度: 1.00mm 电流-最大值: 100A
ESD0801PB
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器
描述: 封装/外壳：DFN1006 反向工作电压Vrwm：5V 反向击穿电压Vbr：6V 钳位电压Vc：15V 峰值脉冲电流Ipp：5A
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 封装/外壳: DFN1006
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器
描述: 封装/外壳：DFN1006 反向工作电压Vrwm：5V 反向击穿电压Vbr：6V 钳位电压Vc：15V 峰值脉冲电流Ipp：5A
产品分类: ESD抑制器/TVS二极管过压过流保护器件 封装/外壳: DFN1006
KSRV05-4MR6T1G
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(最小值)：6V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8/20μs：5A 最大钳位电压：28V
工作电压VR-VI(max): 5V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1uA 钳位电压 VC: 28V 原始制造商: KUU SEMICONDUCTOR 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 结电容值: 0.8pF@1MHz 封装/外壳: SOT23-6L 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5A 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 6V 最小包装: 3000pcs 通道数: 4 电压-断态: 5V 高度: 1.25mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电（ESD）保护器件
描述: 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(最小值)：6V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8/20μs：5A 最大钳位电压：28V
工作电压VR-VI(max): 5V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 反向漏电流 IR: 1uA 钳位电压 VC: 28V 原始制造商: KUU SEMICONDUCTOR 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 结电容值: 0.8pF@1MHz 封装/外壳: SOT23-6L 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5A 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 6V 最小包装: 3000pcs 通道数: 4 电压-断态: 5V 高度: 1.25mm 零件状态: Active
KIRLML5203TRPBF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道 耐压:30V 电流:3A 类型:P沟道 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):98Ω@10V,3A
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): -1V@250uA 漏极电流Idss: -1μA 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+150℃ 引线数量: 3Pin 高度: 1.15mm 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 原产国家: China 是否无铅: Yes 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): -30V 连续漏极电流Id@25℃: -3A 导通电阻Rds On(Max): 165mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 9.5nC 输入电容(Ciss)(Max): 510pF 功率(Max): 1.25W 工作温度(Tj): 150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOT-23
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: P沟道 耐压:30V 电流:3A 类型:P沟道 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):98Ω@10V,3A
产品分类: MOSFETs晶体管 阈值电压Vgs(th): -1V@250uA 漏极电流Idss: -1μA 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+150℃ 引线数量: 3Pin 高度: 1.15mm 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 原产国家: China 是否无铅: Yes 零件状态: 在售 漏源电压(Vdss): -30V 连续漏极电流Id@25℃: -3A 导通电阻Rds On(Max): 165mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 9.5nC 输入电容(Ciss)(Max): 510pF 功率(Max): 1.25W 工作温度(Tj): 150°C 安装类型: 表面贴装(SMT) 封装/外壳: SOT-23
KAO3400
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：41mΩ@10V,2.9A SOT-23-3L 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32Ω@10V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：41mΩ@10V,2.9A SOT-23-3L 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32Ω@10V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA
K1812L160/16PR
供应商: Anychip Mall
分类: 自恢复保险丝
描述: 最大电压：16V 最大电流：40A 保持电流：1.6A 跳闸电流：3.2A 消耗功率：1W 初始态阻值(最小值)：0.025Ω 跳断后阻值(最大值)：0.12Ω 最大动作时间：1s PPTC自恢复保险丝
供应商: Anychip Mall
分类: 自恢复保险丝
描述: 最大电压：16V 最大电流：40A 保持电流：1.6A 跳闸电流：3.2A 消耗功率：1W 初始态阻值(最小值)：0.025Ω 跳断后阻值(最大值)：0.12Ω 最大动作时间：1s PPTC自恢复保险丝