MAGNACHIP
We are a Korea-based designer and manufacturer of analog and mixed-signal semiconductor products for consumer, computing, communication, industrial, automotive and Internet of Things ("IoT") applications. We provide technology platforms for analog, mixed-signal, power, high voltage, non-volatile memory, and RF applications. We have a proven record of 30-year operating history, large portfolio of approximately 2,917 registered novel patents and 141 pending novel patent applications and extensive engineering and manufacturing process expertise.
商品列表
MDU1514URH
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip NMOS, MOSFET, Vds=30 V, PowerDFN56封装, 66 A, 表面贴装, 8引脚, Si晶体管
通道类型: N 最大连续漏极电流: 66 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: PowerDFN56 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 9 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.7V 最大功率耗散: 46.2 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 正向二极管电压: 1.1V 最高工作温度: +150 °C 宽度: 5.1mm 长度: 6.1mm 典型栅极电荷@Vgs: 19 nC @ 10 V 高度: 1.1mm 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip NMOS, MOSFET, Vds=30 V, PowerDFN56封装, 66 A, 表面贴装, 8引脚, Si晶体管
通道类型: N 最大连续漏极电流: 66 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: PowerDFN56 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 9 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.7V 最大功率耗散: 46.2 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 正向二极管电压: 1.1V 最高工作温度: +150 °C 宽度: 5.1mm 长度: 6.1mm 典型栅极电荷@Vgs: 19 nC @ 10 V 高度: 1.1mm 晶体管材料: Si
MDS1524URH
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=30 V, 19 A, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 19 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 11.7 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.7V 最大功率耗散: 5.3 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 最低工作温度: -55 °C 正向二极管电压: 1.1V 宽度: 3.9mm 高度: 1.5mm 典型栅极电荷@Vgs: 16.2 nC @ 10 V 长度: 4.9mm 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=30 V, 19 A, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 19 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 11.7 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.7V 最大功率耗散: 5.3 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 最低工作温度: -55 °C 正向二极管电压: 1.1V 宽度: 3.9mm 高度: 1.5mm 典型栅极电荷@Vgs: 16.2 nC @ 10 V 长度: 4.9mm 最高工作温度: +150 °C
MDD14N25C
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
商品名称: MDD14N25CRH 编带 封装规格: TO-252-2(DPAK) 品 牌: MagnaChip 中高端品牌 商品编号: C108997 商品毛重: 0.000445 KG
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
商品名称: MDD14N25CRH 编带 封装规格: TO-252-2(DPAK) 品 牌: MagnaChip 中高端品牌 商品编号: C108997 商品毛重: 0.000445 KG
MDD14N25CRH
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：250V 连续漏极电流(Id)：10.2A 功率(Pd)：69.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：280mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N-Channel MOSFET 250V,10.2A,0.28Ω@VGS=10V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：250V 连续漏极电流(Id)：10.2A 功率(Pd)：69.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：280mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N-Channel MOSFET 250V,10.2A,0.28Ω@VGS=10V
