MAGNACHIP
We are a Korea-based designer and manufacturer of analog and mixed-signal semiconductor products for consumer, computing, communication, industrial, automotive and Internet of Things ("IoT") applications. We provide technology platforms for analog, mixed-signal, power, high voltage, non-volatile memory, and RF applications. We have a proven record of 30-year operating history, large portfolio of approximately 2,917 registered novel patents and 141 pending novel patent applications and extensive engineering and manufacturing process expertise.
商品列表
MPSC2N100U120
供应商: RS
分类: 整流器和肖特基二极管
描述: MagnaChip 二极管 MPSC2N100U120, Io=200A, Vrev=1200V, 110ns, 4引脚 SOT-227封装
最大连续正向电流: 200A 二极管配置: 隔离式 每片芯片元件数目: 2 峰值反向重复电压: 1200V 安装类型: 面板安装 封装类型: SOT-227 二极管类型: 硅结型 二极管技术: 硅结型 引脚数目: 4 最大正向电压降: 2.8V 长度: 38.5mm 宽度: 25.2mm 高度: 9.8mm 峰值反向回复时间: 110ns 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 38.5 x 25.2 x 9.8mm 峰值反向电流: 1mA 最低工作温度: -40 °C 峰值非重复正向浪涌电流: 1.4kA
供应商: RS
分类: 整流器和肖特基二极管
描述: MagnaChip 二极管 MPSC2N100U120, Io=200A, Vrev=1200V, 110ns, 4引脚 SOT-227封装
最大连续正向电流: 200A 二极管配置: 隔离式 每片芯片元件数目: 2 峰值反向重复电压: 1200V 安装类型: 面板安装 封装类型: SOT-227 二极管类型: 硅结型 二极管技术: 硅结型 引脚数目: 4 最大正向电压降: 2.8V 长度: 38.5mm 宽度: 25.2mm 高度: 9.8mm 峰值反向回复时间: 110ns 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 38.5 x 25.2 x 9.8mm 峰值反向电流: 1mA 最低工作温度: -40 °C 峰值非重复正向浪涌电流: 1.4kA
MDD4N60RH
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=600 V, 3.5 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 3.5 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 2 Ω 最大栅阈值电压: 5V 最大栅源电压: -30 V、+30 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大功率耗散: 67.5 W 正向二极管电压: 1.4V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 6.22mm 典型栅极电荷@Vgs: 12.1 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 晶体管材料: Si 长度: 6.73mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 2.39mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=600 V, 3.5 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 3.5 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 2 Ω 最大栅阈值电压: 5V 最大栅源电压: -30 V、+30 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大功率耗散: 67.5 W 正向二极管电压: 1.4V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 6.22mm 典型栅极电荷@Vgs: 12.1 nC @ 10 V 最低工作温度: -55 °C 晶体管材料: Si 长度: 6.73mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 2.39mm
MDP1922TH
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip, MOSFET, NMOS, TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 97 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 8.4 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最大功率耗散: 157 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 典型栅极电荷@Vgs: 54.5 nC @ 10 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 宽度: 4.83mm 长度: 10.67mm 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip, MOSFET, NMOS, TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 97 A 最大漏源电压: 100 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 8.4 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最大功率耗散: 157 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 典型栅极电荷@Vgs: 54.5 nC @ 10 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 宽度: 4.83mm 长度: 10.67mm 最高工作温度: +150 °C
MPKC2CA200U40
供应商: RS
分类: 整流二极管和肖特基二极管
描述: MagnaChip 二极管, 峰值反向重复电压 400V, 3引脚 5DM-2封装, 最高工作温度 +150 °C
最大连续正向电流: 400A 二极管配置: 共阴极 每片芯片元件数目: 2 峰值反向重复电压: 400V 安装类型: 面板安装 封装类型: 5DM-2 二极管类型: 硅结型 二极管技术: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.3V 峰值反向回复时间: 100ns 峰值非重复正向浪涌电流: 3.3kA
供应商: RS
分类: 整流二极管和肖特基二极管
描述: MagnaChip 二极管, 峰值反向重复电压 400V, 3引脚 5DM-2封装, 最高工作温度 +150 °C
最大连续正向电流: 400A 二极管配置: 共阴极 每片芯片元件数目: 2 峰值反向重复电压: 400V 安装类型: 面板安装 封装类型: 5DM-2 二极管类型: 硅结型 二极管技术: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.3V 峰值反向回复时间: 100ns 峰值非重复正向浪涌电流: 3.3kA
MDP1933TH
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDP1933TH, 105 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 105 A 最大漏源电压: 80 V 最大漏源电阻值: 7 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大功率耗散: 157 W 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.83mm 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 59.4 nC @ 10 V 典型输入电容值@Vds: 3841 pF @ 40 V 正向二极管电压: 1.2V 长度: 10.67mm 尺寸: 10.67 x 4.83 x 16.51mm 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 15.6 ns 最高工作温度: +150 °C 高度: 16.51mm 正向跨导: 47S 典型关断延迟时间: 24.2 ns
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDP1933TH, 105 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 105 A 最大漏源电压: 80 V 最大漏源电阻值: 7 mΩ 最大栅阈值电压: 4V 最大栅源电压: -20 V、+20 V 封装类型: TO-220 安装类型: 通孔 晶体管配置: 单 引脚数目: 3 通道模式: 增强 最大功率耗散: 157 W 每片芯片元件数目: 1 宽度: 4.83mm 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 59.4 nC @ 10 V 典型输入电容值@Vds: 3841 pF @ 40 V 正向二极管电压: 1.2V 长度: 10.67mm 尺寸: 10.67 x 4.83 x 16.51mm 晶体管材料: Si 典型接通延迟时间: 15.6 ns 最高工作温度: +150 °C 高度: 16.51mm 正向跨导: 47S 典型关断延迟时间: 24.2 ns
MDS1528URH
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=30 V, 11.9 A, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 11.9 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 27.8 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.7V 最大功率耗散: 4.7 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 3.9mm 最低工作温度: -55 °C 正向二极管电压: 1.1V 长度: 4.9mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 1.5mm 典型栅极电荷@Vgs: 7.3 nC @ 10 V 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=30 V, 11.9 A, 8引脚 SOIC封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 11.9 A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: SOIC 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 27.8 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.7V 最大功率耗散: 4.7 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -20 V、+20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 3.9mm 最低工作温度: -55 °C 正向二极管电压: 1.1V 长度: 4.9mm 最高工作温度: +150 °C 高度: 1.5mm 典型栅极电荷@Vgs: 7.3 nC @ 10 V 晶体管材料: Si
MDD3N40RH
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip, 场效应管Mosfet, NMOS, DPAK (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 2 A 最大漏源电压: 400 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 3.4 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 5V 最大功率耗散: 30 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 宽度: 6.22mm 长度: 6.73mm 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 5.1 nC @ 10 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip, 场效应管Mosfet, NMOS, DPAK (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 2 A 最大漏源电压: 400 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 3.4 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 5V 最大功率耗散: 30 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 宽度: 6.22mm 长度: 6.73mm 晶体管材料: Si 典型栅极电荷@Vgs: 5.1 nC @ 10 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C
MPKB2CA100U40
供应商: RS
分类: 整流器和肖特基二极管
描述: MagnaChip 二极管 MPKB2CA100U40, Io=200A, Vrev=400V, 60ns, 3引脚 5DM-1封装
最大连续正向电流: 200A 二极管配置: 共阴极 每片芯片元件数目: 2 峰值反向重复电压: 400V 安装类型: 面板安装 封装类型: 5DM-1 二极管类型: 硅结型 二极管技术: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.3V 长度: 94mm 宽度: 27.5mm 高度: 22.5mm 峰值反向回复时间: 60ns 最低工作温度: -40 °C 尺寸: 94 x 27.5 x 22.5mm 最高工作温度: +150 °C 峰值反向电流: 1mA 峰值非重复正向浪涌电流: 2kA
供应商: RS
分类: 整流器和肖特基二极管
描述: MagnaChip 二极管 MPKB2CA100U40, Io=200A, Vrev=400V, 60ns, 3引脚 5DM-1封装
最大连续正向电流: 200A 二极管配置: 共阴极 每片芯片元件数目: 2 峰值反向重复电压: 400V 安装类型: 面板安装 封装类型: 5DM-1 二极管类型: 硅结型 二极管技术: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.3V 长度: 94mm 宽度: 27.5mm 高度: 22.5mm 峰值反向回复时间: 60ns 最低工作温度: -40 °C 尺寸: 94 x 27.5 x 22.5mm 最高工作温度: +150 °C 峰值反向电流: 1mA 峰值非重复正向浪涌电流: 2kA
MDD5N50RH
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=500 V, 4.4 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4.4 A 最大漏源电压: 500 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.4 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 5V 最大功率耗散: 70 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 6.73mm 典型栅极电荷@Vgs: 12.2 nC @ 10 V 高度: 2.39mm 宽度: 6.22mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.4V 最低工作温度: -55 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=500 V, 4.4 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4.4 A 最大漏源电压: 500 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 1.4 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 5V 最大功率耗散: 70 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 6.73mm 典型栅极电荷@Vgs: 12.2 nC @ 10 V 高度: 2.39mm 宽度: 6.22mm 晶体管材料: Si 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.4V 最低工作温度: -55 °C
MDD2N60RH
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=600 V, 1.9 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 1.9 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 4.5 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 5V 最大功率耗散: 42 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 宽度: 6.22mm 高度: 2.39mm 典型栅极电荷@Vgs: 6.7 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.4V 最低工作温度: -55 °C 长度: 6.73mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=600 V, 1.9 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 1.9 A 最大漏源电压: 600 V 封装类型: DPAK (TO-252) 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 4.5 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 5V 最大功率耗散: 42 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 晶体管材料: Si 宽度: 6.22mm 高度: 2.39mm 典型栅极电荷@Vgs: 6.7 nC @ 10 V 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.4V 最低工作温度: -55 °C 长度: 6.73mm