ROHM
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MMBZ6V2ALT116
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: ROHM TVS二极管 单向, 24W, 8.7V, 3 引脚, SOT-23封装
二极管配置: 共阳极 方向类型: 单向 最大钳位电压: 8.7V 最小击穿电压: 5.89V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 最大反向待机电压: 3V 引脚数目: 3 峰值脉冲功率耗散: 24W 最大峰值脉冲电流: 2.76A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 2 最高工作温度: +150 °C 测试电流: 1mA 最大反向漏电流: 200nA 宽度: 1.5mm 高度: 1.15mm 尺寸: 3.1 x 1.5 x 1.15mm 电容值: 180pF 长度: 3.1mm
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: ROHM TVS二极管 单向, 24W, 8.7V, 3 引脚, SOT-23封装
二极管配置: 共阳极 方向类型: 单向 最大钳位电压: 8.7V 最小击穿电压: 5.89V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 最大反向待机电压: 3V 引脚数目: 3 峰值脉冲功率耗散: 24W 最大峰值脉冲电流: 2.76A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 2 最高工作温度: +150 °C 测试电流: 1mA 最大反向漏电流: 200nA 宽度: 1.5mm 高度: 1.15mm 尺寸: 3.1 x 1.5 x 1.15mm 电容值: 180pF 长度: 3.1mm
RGW00TS65DGC11
供应商: RS
分类: IGBT 晶体管
描述: 新产品650V 50A Field Stop Trench IGBT
最大连续集电极电流: 50 A 最大集电极-发射极电压: 1.5 V 最大栅极发射极电压: ±30V 最大功率耗散: 254 W 晶体管数: 1 封装类型: TO-247N 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 开关速度: 1MHz 晶体管配置: 单 长度: 16mm 宽度: 5mm 高度: 21mm 尺寸: 16 x 5 x 21mm 最高工作温度: +175 °C 栅极电容: 4200pF 最低工作温度: -40 °C
供应商: RS
分类: IGBT 晶体管
描述: 新产品650V 50A Field Stop Trench IGBT
最大连续集电极电流: 50 A 最大集电极-发射极电压: 1.5 V 最大栅极发射极电压: ±30V 最大功率耗散: 254 W 晶体管数: 1 封装类型: TO-247N 安装类型: 通孔 通道类型: N 引脚数目: 3 开关速度: 1MHz 晶体管配置: 单 长度: 16mm 宽度: 5mm 高度: 21mm 尺寸: 16 x 5 x 21mm 最高工作温度: +175 °C 栅极电容: 4200pF 最低工作温度: -40 °C
BZX84C5V6LT116
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: ROHM 1路路 单路 稳压二极管, 6V ±5% 250 mW, 3引脚 SOT-23封装
额定齐纳电压: 6V 二极管配置: 单路 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 250 mW 封装类型: SOT-23 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 3 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 40Ω 最大反向漏电流: 1µA 长度: 3.1mm 宽度: 1.5mm 尺寸: 3.1 x 1.5 x 1.15mm 高度: 1.15mm 典型电压温度系数: 3.1 (Maximum)mV/°C 功率耗散: 250mW 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: ROHM 1路路 单路 稳压二极管, 6V ±5% 250 mW, 3引脚 SOT-23封装
额定齐纳电压: 6V 二极管配置: 单路 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 250 mW 封装类型: SOT-23 齐纳类型: 稳压器 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 3 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 40Ω 最大反向漏电流: 1µA 长度: 3.1mm 宽度: 1.5mm 尺寸: 3.1 x 1.5 x 1.15mm 高度: 1.15mm 典型电压温度系数: 3.1 (Maximum)mV/°C 功率耗散: 250mW 最高工作温度: +150 °C
RBS2MM40BTR
供应商: RS
分类: 整流二极管和肖特基二极管
描述: ROHM 肖特基二极管, 最大连续正向电流2A, 峰值反向重复电压40V, 表面贴装安装, SOD-123FL封装, 2引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOD-123FL 最大连续正向电流: 2A 峰值反向重复电压: 40V 二极管配置: 单路 二极管类型: 碳化硅肖特基 引脚数目: 2 每片芯片元件数目: 1 峰值非重复正向浪涌电流: 35A
供应商: RS
分类: 整流二极管和肖特基二极管
描述: ROHM 肖特基二极管, 最大连续正向电流2A, 峰值反向重复电压40V, 表面贴装安装, SOD-123FL封装, 2引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOD-123FL 最大连续正向电流: 2A 峰值反向重复电压: 40V 二极管配置: 单路 二极管类型: 碳化硅肖特基 引脚数目: 2 每片芯片元件数目: 1 峰值非重复正向浪涌电流: 35A
BU12TH5WNVX-1TL
供应商: RS
分类: 低压降稳压器
描述: ROHM BU12TH5WNVX-1TL LDO 稳压器, 1.2 V输出, 500mA最大输出, ±1%精确度, 1.7 → 6 V输入, 4引脚
输出电压: 1.2 V 输出类型: 固定 封装类型: SSON 最大输出电流: 500mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 1.7 V 最大输入电压: 6 V 引脚数目: 4 输出数目: 1 极性: 正极 静态电流: 20µA 精确度: ±1% 最低工作温度: -20 °C 最高工作温度: +85 °C 长度: 1mm 线路调节: 20 mV 高度: 0.58mm 尺寸: 1 x 1 x 0.58mm 宽度: 1mm 负荷调节: 40 mV
供应商: RS
分类: 低压降稳压器
描述: ROHM BU12TH5WNVX-1TL LDO 稳压器, 1.2 V输出, 500mA最大输出, ±1%精确度, 1.7 → 6 V输入, 4引脚
输出电压: 1.2 V 输出类型: 固定 封装类型: SSON 最大输出电流: 500mA 安装类型: 表面贴装 最小输入电压: 1.7 V 最大输入电压: 6 V 引脚数目: 4 输出数目: 1 极性: 正极 静态电流: 20µA 精确度: ±1% 最低工作温度: -20 °C 最高工作温度: +85 °C 长度: 1mm 线路调节: 20 mV 高度: 0.58mm 尺寸: 1 x 1 x 0.58mm 宽度: 1mm 负荷调节: 40 mV
BD9A101MUV-EVK-001
供应商: RS
分类: 电源管理开发套件
描述: ROHM 降压转换器评估板, 降压转换器, 用于开发降压直流/直流转换器, 评估测试板, BD9A101MUV-LB芯片, BD9A101MUV-LB Evaluation Board
电源管理功能: 降压转换器 套件分类: 评估测试板 使用于: 降压直流/直流转换器 功能完备的设备: BD9A101MUV-LB 套件名称: BD9A101MUV-LB Evaluation Board
供应商: RS
分类: 电源管理开发套件
描述: ROHM 降压转换器评估板, 降压转换器, 用于开发降压直流/直流转换器, 评估测试板, BD9A101MUV-LB芯片, BD9A101MUV-LB Evaluation Board
电源管理功能: 降压转换器 套件分类: 评估测试板 使用于: 降压直流/直流转换器 功能完备的设备: BD9A101MUV-LB 套件名称: BD9A101MUV-LB Evaluation Board
R6004JNJGTL
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: 新产品ROHM R6004JNJ 系列 N沟道 MOSFET R6004JNJGTL, 4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263S封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 1.43 Ω 最大栅阈值电压: 7V 最小栅阈值电压: 5V 最大栅源电压: ±30 V 封装类型: TO-263S 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 60 W 每片芯片元件数目: 1 宽度: 9.2mm 正向二极管电压: 1.7V 典型关断延迟时间: 24 ns 典型接通延迟时间: 13 ns 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 10.5 nC @ 15 V 尺寸: 10.4 x 9.2 x 4.7mm 高度: 4.7mm 最高工作温度: +150 °C 典型输入电容值@Vds: 260 pF @ 100 V 系列: R6004JNJ 长度: 10.4mm
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: 新产品ROHM R6004JNJ 系列 N沟道 MOSFET R6004JNJGTL, 4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263S封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 4 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 1.43 Ω 最大栅阈值电压: 7V 最小栅阈值电压: 5V 最大栅源电压: ±30 V 封装类型: TO-263S 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 60 W 每片芯片元件数目: 1 宽度: 9.2mm 正向二极管电压: 1.7V 典型关断延迟时间: 24 ns 典型接通延迟时间: 13 ns 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 10.5 nC @ 15 V 尺寸: 10.4 x 9.2 x 4.7mm 高度: 4.7mm 最高工作温度: +150 °C 典型输入电容值@Vds: 260 pF @ 100 V 系列: R6004JNJ 长度: 10.4mm
BAS40-06HMT116
供应商: RS
分类: 整流二极管和肖特基二极管
描述: ROHM 肖特基二极管, 最大连续正向电流40mA, 峰值反向重复电压40V, 表面贴装安装, SOT-23封装, 3引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 最大连续正向电流: 40mA 峰值反向重复电压: 40V 二极管配置: 共阳极 二极管类型: 碳化硅肖特基 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 2 二极管技术: 肖特基 峰值非重复正向浪涌电流: 600mA
供应商: RS
分类: 整流二极管和肖特基二极管
描述: ROHM 肖特基二极管, 最大连续正向电流40mA, 峰值反向重复电压40V, 表面贴装安装, SOT-23封装, 3引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 最大连续正向电流: 40mA 峰值反向重复电压: 40V 二极管配置: 共阳极 二极管类型: 碳化硅肖特基 引脚数目: 3 每片芯片元件数目: 2 二极管技术: 肖特基 峰值非重复正向浪涌电流: 600mA
R6018JNX
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: 新产品ROHM R6018JNX 系列 N沟道 MOSFET R6018JNX, 18 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FM封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 18 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 280 mΩ 最大栅阈值电压: 7V 最小栅阈值电压: 5V 最大栅源电压: ±30 V 封装类型: TO-220FM 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 72 W 典型关断延迟时间: 50 ns 正向二极管电压: 1.7V 宽度: 4.8mm 典型接通延迟时间: 26 ns 典型栅极电荷@Vgs: 42 nC @ 15 V 高度: 15.4mm 系列: R6018JNX 典型输入电容值@Vds: 1300 pF @ 100 V 最高工作温度: +150 °C 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 尺寸: 10.3 x 4.8 x 15.4mm 长度: 10.3mm
供应商: RS
分类: MOSFET 晶体管
描述: 新产品ROHM R6018JNX 系列 N沟道 MOSFET R6018JNX, 18 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FM封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 18 A 最大漏源电压: 600 V 最大漏源电阻值: 280 mΩ 最大栅阈值电压: 7V 最小栅阈值电压: 5V 最大栅源电压: ±30 V 封装类型: TO-220FM 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 类别: 功率 MOSFET 最大功率耗散: 72 W 典型关断延迟时间: 50 ns 正向二极管电压: 1.7V 宽度: 4.8mm 典型接通延迟时间: 26 ns 典型栅极电荷@Vgs: 42 nC @ 15 V 高度: 15.4mm 系列: R6018JNX 典型输入电容值@Vds: 1300 pF @ 100 V 最高工作温度: +150 °C 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 尺寸: 10.3 x 4.8 x 15.4mm 长度: 10.3mm
RFN10T2DNZC9
供应商: RS
分类: 整流器和肖特基二极管
描述: 新产品Super Fast Recovery Diode
最大连续正向电流: 5A 每片芯片元件数目: 2 整流器类型: 快速恢复 峰值反向重复电压: 200V 安装类型: 通孔 封装类型: TO-220FN 二极管技术: 硅结型 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 3 + Tab 长度: 10mm 宽度: 4.5mm 高度: 15mm 峰值反向回复时间: 25ns 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 10 x 4.5 x 15mm 峰值非重复正向浪涌电流: 80A 峰值反向电流: 10µA
供应商: RS
分类: 整流器和肖特基二极管
描述: 新产品Super Fast Recovery Diode
最大连续正向电流: 5A 每片芯片元件数目: 2 整流器类型: 快速恢复 峰值反向重复电压: 200V 安装类型: 通孔 封装类型: TO-220FN 二极管技术: 硅结型 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 3 + Tab 长度: 10mm 宽度: 4.5mm 高度: 15mm 峰值反向回复时间: 25ns 最高工作温度: +150 °C 尺寸: 10 x 4.5 x 15mm 峰值非重复正向浪涌电流: 80A 峰值反向电流: 10µA