MICROSEMI CORPORATION
Microsemi Corporation（纳斯达克股票代码：MSCC) 为航空航天与国防、通信、数据中心以及工业市场提供全面的半导体解决方案产品组合。 公司产品包括：高性能、抗辐射、模拟式混合信号集成电路、FPGA、SoC 和 ASIC，电源管理产品，定时和同步器件以及精密时间解决方案（确立了全球时间标准），语音处理器件，射频解决方案，分立式元器件、企业存储和通信解决方案，安防技术和可扩展防篡改产品，以太网解决方案，以太网供电 IC 和中跨，以及定制设计能力和服务。 Microsemi 总部设于美国加利福尼亚州 Aliso Viejo，全球员工总数约 4,800 人。
商品列表
MPF100TS-FCSG325I
供应商: DigiKey
分类: 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列）
描述: IC FPGA 170 I/O
类别: 集成电路（IC） 制造商: Microsemi Corporation 系列: PolarFire™ 零件状态: 在售 逻辑元件/单元数: 109000 总RAM位数: 7782400 I/O数: 170 电压-电源: 0.97V ~ 1.08V 工作温度: -40°C ~ 100°C（TJ） 封装/外壳: 325-LFBGA 供应商器件封装: 325-FPGA (11x11)
供应商: DigiKey
分类: 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列）
描述: IC FPGA 170 I/O
类别: 集成电路（IC） 制造商: Microsemi Corporation 系列: PolarFire™ 零件状态: 在售 逻辑元件/单元数: 109000 总RAM位数: 7782400 I/O数: 170 电压-电源: 0.97V ~ 1.08V 工作温度: -40°C ~ 100°C（TJ） 封装/外壳: 325-LFBGA 供应商器件封装: 325-FPGA (11x11)
1N6337US
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 零件状态: 在售
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 零件状态: 在售
MXSMBJSAC26E3
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 26V 42.3V DO214AA
类型: 齐纳 单向通道: 1 电压-反向关态（典型值）: 26V 电压-击穿（最小值）: 28.9V 电压-箝位（最大值）@Ipp: 42.3V 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: 11.1A 功率-峰值脉冲: 500W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时的电容: 30pF @ 1MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: SMBJ（DO-214AA） 通知: QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。参见条款和条件。
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 26V 42.3V DO214AA
类型: 齐纳 单向通道: 1 电压-反向关态（典型值）: 26V 电压-击穿（最小值）: 28.9V 电压-箝位（最大值）@Ipp: 42.3V 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: 11.1A 功率-峰值脉冲: 500W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时的电容: 30pF @ 1MHz 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: SMBJ（DO-214AA） 通知: QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。参见条款和条件。
JANTXV2N6798U
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC
制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/557 包装: 散装 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 420 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 800mW（Ta），25W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 18-ULCC（9.14x7.49） 封装/外壳: 18-CLCC 通知: QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。参见条款和条件。 漏源电压（Vdss）: 200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42.07 nC @ 10 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC
制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/557 包装: 散装 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 420 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 800mW（Ta），25W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 18-ULCC（9.14x7.49） 封装/外壳: 18-CLCC 通知: QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。参见条款和条件。 漏源电压（Vdss）: 200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42.07 nC @ 10 V
JANTXV1N3037D-1
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 51V 1W ±1% 通孔 DO-41
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500/115 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 51V 容差: ±1% 功率-最大值: 1W 阻抗（最大值）（Zzt）: 95 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 38.8V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.2V @ 200mA 工作温度: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 51V 1W ±1% 通孔 DO-41
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500/115 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 51V 容差: ±1% 功率-最大值: 1W 阻抗（最大值）（Zzt）: 95 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 38.8V 不同If时的电压-正向（Vf: 1.2V @ 200mA 工作温度: -55°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装: DO-41
APT5014SLLG/TR
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 35A TO247
制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 35A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 140 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 1mA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 403W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3261 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 35A TO247
制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 35A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 140 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 1mA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 403W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3261 pF @ 25 V
MX1N8165
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE
类别: 电路保护 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 零件状态: 在售
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE
类别: 电路保护 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 零件状态: 在售
JAN1N5532D-1
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: DIODE ZENER 12V 500MW DO35
制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/437 包装: 散装 零件状态: 有源 容差: ±1% 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装: DO-35（DO-204AH） 通知: QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。参见条款和条件。 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12V 功率 - 最大值: 500mW 阻抗（最大值）(Zzt): 90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50nA @ 10.8V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1V @ 200mA
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: DIODE ZENER 12V 500MW DO35
制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/437 包装: 散装 零件状态: 有源 容差: ±1% 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装: DO-35（DO-204AH） 通知: QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。参见条款和条件。 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12V 功率 - 最大值: 500mW 阻抗（最大值）(Zzt): 90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50nA @ 10.8V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1V @ 200mA
MXLPLAD18KP20CAE3
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 20V 32.4V PLAD
类别: 电路保护 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: 齐纳 双向通道: 1 电压-反向关态（典型值）: 20V 电压-击穿（最小值）: 22.2V 电压-箝位（最大值）@Ipp: 32.4V 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: 556A 功率-峰值脉冲: 18000W（18kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时的电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 20V 32.4V PLAD
类别: 电路保护 制造商: Microsemi Corporation 系列: 军用，MIL-PRF-19500 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: 齐纳 双向通道: 1 电压-反向关态（典型值）: 20V 电压-击穿（最小值）: 22.2V 电压-箝位（最大值）@Ipp: 32.4V 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: 556A 功率-峰值脉冲: 18000W（18kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时的电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD
JANTXV2N2060
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
描述: TRANS 2NPN 60V 500MA TO78
晶体管类型: 2 NPN（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 500mA 电压-集射极击穿（最大值）: 60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止（最大值）: 10µA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 50 @ 10mA，5V 功率-最大值: 600mW 频率-跃迁: - 工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-78-6 金属罐 供应商器件封装: TO-78-6
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
描述: TRANS 2NPN 60V 500MA TO78
晶体管类型: 2 NPN（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 500mA 电压-集射极击穿（最大值）: 60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止（最大值）: 10µA（ICBO） 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 50 @ 10mA，5V 功率-最大值: 600mW 频率-跃迁: - 工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-78-6 金属罐 供应商器件封装: TO-78-6