安森美
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FDMS007N08LC
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, N沟道, Vds=80 V, 84 A, 8引脚 PQFN封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 84 A 最大漏源电压: 80 V 封装类型: PQFN 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 11.6 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 92.6 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 33 nC @ 10 V 高度: 1.05mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 5.1mm 正向二极管电压: 1.3V 宽度: 6.15mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, N沟道, Vds=80 V, 84 A, 8引脚 PQFN封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 84 A 最大漏源电压: 80 V 封装类型: PQFN 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 11.6 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 92.6 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 33 nC @ 10 V 高度: 1.05mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 5.1mm 正向二极管电压: 1.3V 宽度: 6.15mm
FDZ1323NZ
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, PowerTrench 系列, N沟道, 双, Si, Vds=20 V, 10 A, 6引脚 WLCSP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 10 A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: WLCSP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 6 最大漏源电阻值: 20 mΩ 通道模式: 增强 最小栅阈值电压: 0.4V 最大功率耗散: 2 W 晶体管配置: 共漏极 最大栅源电压: -12 V、+12 V 每片芯片元件数目: 2 长度: 2.3mm 晶体管材料: Si 宽度: 1.3mm 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 17 nC @ 4.5 V 高度: 0.15mm 最高工作温度: +150 °C 系列: PowerTrench
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, PowerTrench 系列, N沟道, 双, Si, Vds=20 V, 10 A, 6引脚 WLCSP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 10 A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: WLCSP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 6 最大漏源电阻值: 20 mΩ 通道模式: 增强 最小栅阈值电压: 0.4V 最大功率耗散: 2 W 晶体管配置: 共漏极 最大栅源电压: -12 V、+12 V 每片芯片元件数目: 2 长度: 2.3mm 晶体管材料: Si 宽度: 1.3mm 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 17 nC @ 4.5 V 高度: 0.15mm 最高工作温度: +150 °C 系列: PowerTrench
N24RF16DTPT3G
供应商: RS
分类: RFID 模块
描述: ON Semiconductor RFID 模块, 支持 I2C, 1.8 → 5.5V电源
元件类型: 应答器 支持的总线接口: I2C 电源电压: 1.8 → 5.5V 尺寸: 3.1 x 4.5 x 1.05mm 高度: 1.05mm 长度: 3.1mm 最高工作温度: +105°C 最低工作温度: -40°C 宽度: 4.5mm
供应商: RS
分类: RFID 模块
描述: ON Semiconductor RFID 模块, 支持 I2C, 1.8 → 5.5V电源
元件类型: 应答器 支持的总线接口: I2C 电源电压: 1.8 → 5.5V 尺寸: 3.1 x 4.5 x 1.05mm 高度: 1.05mm 长度: 3.1mm 最高工作温度: +105°C 最低工作温度: -40°C 宽度: 4.5mm
FCPF165N65S3R0L
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, N沟道, Vds=650 V, 19 A, 3引脚 TO-220F封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 19 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220F 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 165 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 35 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 35 nC @ 10 V 高度: 15.7mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.2V 最低工作温度: -55 °C 宽度: 4.6mm 长度: 10.3mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, N沟道, Vds=650 V, 19 A, 3引脚 TO-220F封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 19 A 最大漏源电压: 650 V 封装类型: TO-220F 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 165 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4.5V 最小栅阈值电压: 2.5V 最大功率耗散: 35 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±30 V 每片芯片元件数目: 1 典型栅极电荷@Vgs: 35 nC @ 10 V 高度: 15.7mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.2V 最低工作温度: -55 °C 宽度: 4.6mm 长度: 10.3mm
FDMC007N08LCDC
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, N沟道, Vds=80 V, 22 A, 8引脚 PQFN封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 22 A 最大漏源电压: 80 V 封装类型: PQFN 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 6.8 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 57 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 3.4mm 典型栅极电荷@Vgs: 31 nC @ 10 V 正向二极管电压: 1.3V 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C 宽度: 3.4mm 高度: 0.75mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, N沟道, Vds=80 V, 22 A, 8引脚 PQFN封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 22 A 最大漏源电压: 80 V 封装类型: PQFN 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 6.8 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 57 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 长度: 3.4mm 典型栅极电荷@Vgs: 31 nC @ 10 V 正向二极管电压: 1.3V 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +150 °C 宽度: 3.4mm 高度: 0.75mm
BAS29
供应商: RS
分类: 肖特基二极管和整流二极管
描述: 安森美二极管, 最大连续正向电流200mA, 峰值反向重复电压120V, 表面贴装安装, SOT-23封装, 3引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 最大连续正向电流: 200mA 峰值反向重复电压: 120V 二极管配置: 单路 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.25V 每片芯片元件数目: 1 二极管技术: 硅结型 峰值反向回复时间: 50ns 峰值非重复正向浪涌电流: 2A
供应商: RS
分类: 肖特基二极管和整流二极管
描述: 安森美二极管, 最大连续正向电流200mA, 峰值反向重复电压120V, 表面贴装安装, SOT-23封装, 3引脚
安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 最大连续正向电流: 200mA 峰值反向重复电压: 120V 二极管配置: 单路 二极管类型: 硅结型 引脚数目: 3 最大正向电压降: 1.25V 每片芯片元件数目: 1 二极管技术: 硅结型 峰值反向回复时间: 50ns 峰值非重复正向浪涌电流: 2A
ECH8320-TL-H
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, P沟道, Si, Vds=20 V, 9.5 A, 8引脚 ECH封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 9.5 A 最大漏源电压: 20 V 最大漏源电阻值: 39 mΩ 最大栅阈值电压: 1.3V 最大栅源电压: -10 V、+10 V 封装类型: ECH 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 最大功率耗散: 1.6 W 每片芯片元件数目: 1 宽度: 2.3mm 典型栅极电荷@Vgs: 25 nC @ 4.5 V 高度: 0.9mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 2.9mm 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, P沟道, Si, Vds=20 V, 9.5 A, 8引脚 ECH封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 9.5 A 最大漏源电压: 20 V 最大漏源电阻值: 39 mΩ 最大栅阈值电压: 1.3V 最大栅源电压: -10 V、+10 V 封装类型: ECH 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 晶体管配置: 单 通道模式: 增强 最大功率耗散: 1.6 W 每片芯片元件数目: 1 宽度: 2.3mm 典型栅极电荷@Vgs: 25 nC @ 4.5 V 高度: 0.9mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 2.9mm 晶体管材料: Si
KA431SMFTF
供应商: RS
分类: 电压基准
描述: 安森美 电压基准, 2.5 - 36V, 最高工作温度 +85 °C, ±2.0 %精确度, 表面贴装安装, SOT-23F封装, 3引脚
标称电压: 2.5 - 36V 封装类型: SOT-23F 参考类型: 可编程 初始精确度: ±2.0 % 安装类型: 表面贴装 拓扑: 并联 最大输出电压: 36 V 引脚数目: 3 尺寸: 3 x 1.7 x 1mm 长度: 3mm 宽度: 1.7mm 最高工作温度: +85 °C 高度: 1mm 最低工作温度: -25 °C
供应商: RS
分类: 电压基准
描述: 安森美 电压基准, 2.5 - 36V, 最高工作温度 +85 °C, ±2.0 %精确度, 表面贴装安装, SOT-23F封装, 3引脚
标称电压: 2.5 - 36V 封装类型: SOT-23F 参考类型: 可编程 初始精确度: ±2.0 % 安装类型: 表面贴装 拓扑: 并联 最大输出电压: 36 V 引脚数目: 3 尺寸: 3 x 1.7 x 1mm 长度: 3mm 宽度: 1.7mm 最高工作温度: +85 °C 高度: 1mm 最低工作温度: -25 °C
ESD7272LT1G
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 安森美 TVS二极管, 40V, 3 引脚, SOT-23封装
二极管配置: 单路 最大钳位电压: 40V 最小击穿电压: 27V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 引脚数目: 3 最大峰值脉冲电流: 16A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +175 °C 尺寸: 3.04 x 1.4 x 1.01mm 最大反向漏电流: 1µA 测试电流: 1mA 宽度: 1.4mm 高度: 1.01mm 工作电压: 24V 长度: 3.04mm 电容值: 2pF 汽车标准: AEC-Q101
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 安森美 TVS二极管, 40V, 3 引脚, SOT-23封装
二极管配置: 单路 最大钳位电压: 40V 最小击穿电压: 27V 安装类型: 表面贴装 封装类型: SOT-23 引脚数目: 3 最大峰值脉冲电流: 16A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +175 °C 尺寸: 3.04 x 1.4 x 1.01mm 最大反向漏电流: 1µA 测试电流: 1mA 宽度: 1.4mm 高度: 1.01mm 工作电压: 24V 长度: 3.04mm 电容值: 2pF 汽车标准: AEC-Q101
FDPF16N50T
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, UniFET 系列, N沟道, Si, Vds=500 V, 16 A, 3引脚 TO-220F封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 16 A 最大漏源电压: 500 V 封装类型: TO-220F 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 380 mΩ 通道模式: 增强 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 38.5 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 长度: 10.36mm 晶体管材料: Si 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 32 nC @ 10 V 系列: UniFET 宽度: 4.9mm 高度: 16.07mm
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, UniFET 系列, N沟道, Si, Vds=500 V, 16 A, 3引脚 TO-220F封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 16 A 最大漏源电压: 500 V 封装类型: TO-220F 安装类型: 通孔 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 380 mΩ 通道模式: 增强 最小栅阈值电压: 3V 最大功率耗散: 38.5 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -30 V、+30 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +150 °C 长度: 10.36mm 晶体管材料: Si 最低工作温度: -55 °C 典型栅极电荷@Vgs: 32 nC @ 10 V 系列: UniFET 宽度: 4.9mm 高度: 16.07mm