安森美
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NCL30000LED3GEVB
供应商: RS
分类: LED 评估套件
描述: 安森美 90-305 V ac Extended Full Range LED Driver Evaluation Board LED 驱动器 NCL30000DR2G 评估测试板, 使用于 经扩展完整的 LED 驱动器系列
LED 技术: LED 驱动器 套件分类: 评估测试板 使用于: 经扩展完整的 LED 驱动器系列 功能完备的设备: NCL30000DR2G 套件名称: 90-305 V ac Extended Full Range LED Driver Evaluation Board
供应商: RS
分类: LED 评估套件
描述: 安森美 90-305 V ac Extended Full Range LED Driver Evaluation Board LED 驱动器 NCL30000DR2G 评估测试板, 使用于 经扩展完整的 LED 驱动器系列
LED 技术: LED 驱动器 套件分类: 评估测试板 使用于: 经扩展完整的 LED 驱动器系列 功能完备的设备: NCL30000DR2G 套件名称: 90-305 V ac Extended Full Range LED Driver Evaluation Board
1N914B
供应商: RS
分类: 整流二极管和肖特基二极管
描述: ON Semiconductor二极管, 最大连续正向电流300mA, 峰值反向重复电压100V, 通孔安装, DO-35封装, 2引脚
安装类型: 通孔 封装类型: DO-35 最大连续正向电流: 300mA 峰值反向重复电压: 100V 二极管配置: 单路 整流器类型: 小信号 引脚数目: 2 每片芯片元件数目: 1 峰值反向回复时间: 4ns 直径: 1.91mm 峰值非重复正向浪涌电流: 4A
供应商: RS
分类: 整流二极管和肖特基二极管
描述: ON Semiconductor二极管, 最大连续正向电流300mA, 峰值反向重复电压100V, 通孔安装, DO-35封装, 2引脚
安装类型: 通孔 封装类型: DO-35 最大连续正向电流: 300mA 峰值反向重复电压: 100V 二极管配置: 单路 整流器类型: 小信号 引脚数目: 2 每片芯片元件数目: 1 峰值反向回复时间: 4ns 直径: 1.91mm 峰值非重复正向浪涌电流: 4A
NVMFS6H800NT1G
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, N沟道, Vds=80 V, 203 A, 5引脚 DFN封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 203 A 最大漏源电压: 80 V 封装类型: DFN 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 5 最大漏源电阻值: 2.1 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 200 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 6.1mm 最低工作温度: -55 °C 高度: 1.05mm 典型栅极电荷@Vgs: 85 nC @ 10 V 长度: 5.1mm 最高工作温度: +175 °C 正向二极管电压: 1.2V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, N沟道, Vds=80 V, 203 A, 5引脚 DFN封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 203 A 最大漏源电压: 80 V 封装类型: DFN 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 5 最大漏源电阻值: 2.1 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 4V 最小栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 200 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 6.1mm 最低工作温度: -55 °C 高度: 1.05mm 典型栅极电荷@Vgs: 85 nC @ 10 V 长度: 5.1mm 最高工作温度: +175 °C 正向二极管电压: 1.2V
MC74HC1G04DTT1G
供应商: RS
分类: 反相器
描述: 安森美 CMOS 反相器, 5引脚, TSOP封装, 最高工作温度 +125 °C, 6 V电源, 否输入, 反相输出
逻辑功能: 逆变器 输出类型: 反相 每片芯片元件数目: 1 施密特触发器输入: 否 最长传播延迟时间@最长CL: 155 ns @ 50 pF 最大高电平输出电流: -2.6mA 最大低电平输出电流: 2.6mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSOP 引脚数目: 5 逻辑系列: HC 尺寸: 3 x 1.5 x 1mm 高度: 1mm 传输延迟测试条件: 50pF 最小工作电源电压: 2 V 宽度: 1mm 最大工作电源电压: 6 V 长度: 3mm 最高工作温度: +125 °C 最低工作温度: -55 °C
供应商: RS
分类: 反相器
描述: 安森美 CMOS 反相器, 5引脚, TSOP封装, 最高工作温度 +125 °C, 6 V电源, 否输入, 反相输出
逻辑功能: 逆变器 输出类型: 反相 每片芯片元件数目: 1 施密特触发器输入: 否 最长传播延迟时间@最长CL: 155 ns @ 50 pF 最大高电平输出电流: -2.6mA 最大低电平输出电流: 2.6mA 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSOP 引脚数目: 5 逻辑系列: HC 尺寸: 3 x 1.5 x 1mm 高度: 1mm 传输延迟测试条件: 50pF 最小工作电源电压: 2 V 宽度: 1mm 最大工作电源电压: 6 V 长度: 3mm 最高工作温度: +125 °C 最低工作温度: -55 °C
MC10EP16VADTG
供应商: RS
分类: 差动线路接收器
描述: 安森美 3通道 差分线路接收器, 3 → 5.5 V单电源电压, 8引脚 TSSOP封装
电源类型: 单 典型单电源电压: 3 → 5.5 V 最大电压增益: 20dB 每片芯片通道数目: 3 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSSOP 引脚数目: 8 最大电源电流: 40 mA 尺寸: 3.1 x 3.1 x 0.95mm 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +85 °C 长度: 3.1mm 高度: 0.95mm 宽度: 3.1mm
供应商: RS
分类: 差动线路接收器
描述: 安森美 3通道 差分线路接收器, 3 → 5.5 V单电源电压, 8引脚 TSSOP封装
电源类型: 单 典型单电源电压: 3 → 5.5 V 最大电压增益: 20dB 每片芯片通道数目: 3 安装类型: 表面贴装 封装类型: TSSOP 引脚数目: 8 最大电源电流: 40 mA 尺寸: 3.1 x 3.1 x 0.95mm 最低工作温度: -40 °C 最高工作温度: +85 °C 长度: 3.1mm 高度: 0.95mm 宽度: 3.1mm
1N5242B
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: ON Semiconductor 1路路 单路 稳压二极管, 12V 5% 500 mW, 2引脚 DO-35封装
二极管配置: 单路 额定齐纳电压: 12V 安装类型: 通孔 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 500 mW 封装类型: DO-35 齐纳类型: 通用 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 20mA 最大齐纳阻抗: 30 Ω @ 20 mA, 600 Ω @ 0.25 mA 最大反向漏电流: 1µA 尺寸: 1.91 Dia. x 4.56mm 直径: 1.91mm 最低工作温度: -65 °C 正向电压: 1.2V 功率耗散: 500mW 正向电流: 200mA 典型电压温度系数: 0.07%/°C 最高工作温度: +200 °C 高度: 4.56mm
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: ON Semiconductor 1路路 单路 稳压二极管, 12V 5% 500 mW, 2引脚 DO-35封装
二极管配置: 单路 额定齐纳电压: 12V 安装类型: 通孔 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 500 mW 封装类型: DO-35 齐纳类型: 通用 齐纳电压容差: 5% 引脚数目: 2 测试电流: 20mA 最大齐纳阻抗: 30 Ω @ 20 mA, 600 Ω @ 0.25 mA 最大反向漏电流: 1µA 尺寸: 1.91 Dia. x 4.56mm 直径: 1.91mm 最低工作温度: -65 °C 正向电压: 1.2V 功率耗散: 500mW 正向电流: 200mA 典型电压温度系数: 0.07%/°C 最高工作温度: +200 °C 高度: 4.56mm
CPH3351-TL-W
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: ON Semiconductor MOSFET, P沟道, Vds=60 V, 1.8 A, 3引脚 SC-59封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 1.8 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: SC-59 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 350 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 1 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 1.6mm 典型栅极电荷@Vgs: 6 nC @ 10 V 高度: 0.9mm 长度: 2.9mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.2V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: ON Semiconductor MOSFET, P沟道, Vds=60 V, 1.8 A, 3引脚 SC-59封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 1.8 A 最大漏源电压: 60 V 封装类型: SC-59 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 350 mΩ 通道模式: 增强 最大功率耗散: 1 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 1.6mm 典型栅极电荷@Vgs: 6 nC @ 10 V 高度: 0.9mm 长度: 2.9mm 最高工作温度: +150 °C 正向二极管电压: 1.2V
FDBL9401L-F085
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, N沟道, Vds=40 V, 300 A, 8引脚 H-PSOF封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 300 A 最大漏源电压: 40 V 封装类型: H-PSOF 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 970 μΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 429 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +175 °C 高度: 2.4mm 典型栅极电荷@Vgs: 269 nc @ 10v 宽度: 11.78mm 最低工作温度: -55 °C 长度: 9.9mm 正向二极管电压: 1.25V 汽车标准: AEC-Q101
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 安森美 MOSFET, N沟道, Vds=40 V, 300 A, 8引脚 H-PSOF封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 300 A 最大漏源电压: 40 V 封装类型: H-PSOF 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 970 μΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 3V 最小栅阈值电压: 1V 最大功率耗散: 429 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±20 V 每片芯片元件数目: 1 最高工作温度: +175 °C 高度: 2.4mm 典型栅极电荷@Vgs: 269 nc @ 10v 宽度: 11.78mm 最低工作温度: -55 °C 长度: 9.9mm 正向二极管电压: 1.25V 汽车标准: AEC-Q101