达尔
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BZX84C4V3-7-F
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 稳压二极管, 额定齐纳电压4.3V, 表面贴装, SOT-23封装, 3引脚, 最大功率耗散350 mW, 单路, 7%, 1路
额定齐纳电压: 4.3V 二极管配置: 单路 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 350 mW 封装类型: SOT-23 齐纳类型: 通用 齐纳电压容差: 7% 引脚数目: 3 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 90Ω 最大反向漏电流: 3µA 尺寸: 3 x 1.4 x 1.1mm
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 稳压二极管, 额定齐纳电压4.3V, 表面贴装, SOT-23封装, 3引脚, 最大功率耗散350 mW, 单路, 7%, 1路
额定齐纳电压: 4.3V 二极管配置: 单路 每片芯片元件数目: 1 安装类型: 表面贴装 最大功率耗散: 350 mW 封装类型: SOT-23 齐纳类型: 通用 齐纳电压容差: 7% 引脚数目: 3 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 90Ω 最大反向漏电流: 3µA 尺寸: 3 x 1.4 x 1.1mm
DF1502S-T
供应商: RS
分类: 整流桥
描述: DiodesZetex 单相整流桥, 4引脚, DF-S封装
电桥类型: 单相 峰值平均正向电流: 1.5A 峰值反向重复电压: 200V 安装类型: 表面贴装 封装类型: DF-S 引脚数目: 4 配置: 单 峰值非重复正向浪涌电流: 50A 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -65 °C 峰值正向电压: 1.1V 峰值反向电流: 500µA 长度: 8.51mm 尺寸: 8.51 x 6.5 x 2.6mm
供应商: RS
分类: 整流桥
描述: DiodesZetex 单相整流桥, 4引脚, DF-S封装
电桥类型: 单相 峰值平均正向电流: 1.5A 峰值反向重复电压: 200V 安装类型: 表面贴装 封装类型: DF-S 引脚数目: 4 配置: 单 峰值非重复正向浪涌电流: 50A 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -65 °C 峰值正向电压: 1.1V 峰值反向电流: 500µA 长度: 8.51mm 尺寸: 8.51 x 6.5 x 2.6mm
DMN2015UFDF-7
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=20 V, 12.2（状态）A，15.2（稳定）A, 6引脚 U-DFN2020封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 12.2（状态）A，15.2（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: U-DFN2020 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 6 最大漏源电阻值: 50 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1.2V 最小栅阈值电压: 0.4V 最大功率耗散: 1.8 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±12 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 2.05mm 最低工作温度: -55 °C 汽车标准: AEC-Q101 典型栅极电荷@Vgs: 42.3 nC @ 10 V 高度: 0.58mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 2.05mm 正向二极管电压: 1.2V
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, N沟道, Vds=20 V, 12.2（状态）A，15.2（稳定）A, 6引脚 U-DFN2020封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 12.2（状态）A，15.2（稳定）A 最大漏源电压: 20 V 封装类型: U-DFN2020 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 6 最大漏源电阻值: 50 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1.2V 最小栅阈值电压: 0.4V 最大功率耗散: 1.8 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±12 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 2.05mm 最低工作温度: -55 °C 汽车标准: AEC-Q101 典型栅极电荷@Vgs: 42.3 nC @ 10 V 高度: 0.58mm 最高工作温度: +150 °C 长度: 2.05mm 正向二极管电压: 1.2V
DMC3071LVT-7
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 达尔 MOSFET, N/P沟道沟道, 双, Vds=30 V, 2.6（（状态）P 沟道）A，3.3（（稳定）P 沟道）A，3.6（（状态）N 沟道）A，4.6（（稳定）N 沟道）A, 6引脚 TSOT-26封装
通道类型: N，P 最大连续漏极电流: 2.6（（状态）P 沟道）A，3.3（（稳定）P 沟道）A，3.6（（状态）N 沟道）A，4.6（（稳定）N 沟道）A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: TSOT-26 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 6 最大漏源电阻值: 90 (NChannel) mΩ, 140 (PChannel) mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5 (NChannel) V, 2.5 (PChannel) V 最小栅阈值电压: 1 (NChannel) V, 1 (PChannel) V 最大功率耗散: 1.1 W 最大栅源电压: ±20（N 沟道）V，±20（P 沟道）V 每片芯片元件数目: 2 高度: 0.9mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -55 °C 长度: 3mm 宽度: 1.7mm 典型栅极电荷@Vgs: 4.5 nC @ 10 V（N 沟道），6.5 nC @ 10 V（P 沟道）
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 达尔 MOSFET, N/P沟道沟道, 双, Vds=30 V, 2.6（（状态）P 沟道）A，3.3（（稳定）P 沟道）A，3.6（（状态）N 沟道）A，4.6（（稳定）N 沟道）A, 6引脚 TSOT-26封装
通道类型: N，P 最大连续漏极电流: 2.6（（状态）P 沟道）A，3.3（（稳定）P 沟道）A，3.6（（状态）N 沟道）A，4.6（（稳定）N 沟道）A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: TSOT-26 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 6 最大漏源电阻值: 90 (NChannel) mΩ, 140 (PChannel) mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2.5 (NChannel) V, 2.5 (PChannel) V 最小栅阈值电压: 1 (NChannel) V, 1 (PChannel) V 最大功率耗散: 1.1 W 最大栅源电压: ±20（N 沟道）V，±20（P 沟道）V 每片芯片元件数目: 2 高度: 0.9mm 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -55 °C 长度: 3mm 宽度: 1.7mm 典型栅极电荷@Vgs: 4.5 nC @ 10 V（N 沟道），6.5 nC @ 10 V（P 沟道）
D3V3F8U9LP3810-7
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 达尔 TVS二极管 单向, 350mW, 5V, 9 引脚, U-DFN3810封装
二极管配置: 阵列 方向类型: 单向 最大钳位电压: 5V 最小击穿电压: 5.5V 安装类型: 表面贴装 封装类型: U-DFN3810 引脚数目: 9 峰值脉冲功率耗散: 350mW 最大峰值脉冲电流: 5A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 8 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +85 °C 最大反向漏电流: 1µA 宽度: 1.05mm 高度: 0.5mm 工作电压: 3.3V 尺寸: 3.85 x 1.05 x 0.5mm 长度: 3.85mm 电容值: 0.55pF
供应商: RS
分类: TVS二极管
描述: 达尔 TVS二极管 单向, 350mW, 5V, 9 引脚, U-DFN3810封装
二极管配置: 阵列 方向类型: 单向 最大钳位电压: 5V 最小击穿电压: 5.5V 安装类型: 表面贴装 封装类型: U-DFN3810 引脚数目: 9 峰值脉冲功率耗散: 350mW 最大峰值脉冲电流: 5A ESD保护: 是 每片芯片元件数目: 8 最低工作温度: -55 °C 最高工作温度: +85 °C 最大反向漏电流: 1µA 宽度: 1.05mm 高度: 0.5mm 工作电压: 3.3V 尺寸: 3.85 x 1.05 x 0.5mm 长度: 3.85mm 电容值: 0.55pF
DZ9F7V5S92-7
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 1路路 稳压二极管, 7.5V ±5% 200 mW, 2引脚 SOD-923封装
额定齐纳电压: 7.5V 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 200 mW 封装类型: SOD-923 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 60Ω 最大反向漏电流: 500nA 长度: 0.8mm 宽度: 0.6mm 尺寸: 0.8 x 0.6 x 0.37mm 正向电流: 10mA 典型电压温度系数: 5.3 (Maximum)mV/°C 功率耗散: 200mW 高度: 0.37mm 最高工作温度: +150 °C 正向电压: 0.9V 最低工作温度: -65 °C
供应商: RS
分类: 稳压二极管
描述: DiodesZetex 1路路 稳压二极管, 7.5V ±5% 200 mW, 2引脚 SOD-923封装
额定齐纳电压: 7.5V 安装类型: 表面贴装 每片芯片元件数目: 1 最大功率耗散: 200 mW 封装类型: SOD-923 齐纳类型: 超小型 齐纳电压容差: ±5% 引脚数目: 2 测试电流: 5mA 最大齐纳阻抗: 60Ω 最大反向漏电流: 500nA 长度: 0.8mm 宽度: 0.6mm 尺寸: 0.8 x 0.6 x 0.37mm 正向电流: 10mA 典型电压温度系数: 5.3 (Maximum)mV/°C 功率耗散: 200mW 高度: 0.37mm 最高工作温度: +150 °C 正向电压: 0.9V 最低工作温度: -65 °C
DMN3020UTS-13
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 达尔 MOSFET, N沟道, Vds=30 V, 12（状态）A，15（稳定）A, 8引脚 TSSOP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 12（状态）A，15（稳定）A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: TSSOP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 50 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.4V 最大功率耗散: 1.4 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±12 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 3.1mm 长度: 4.5mm 正向二极管电压: 1.2V 最低工作温度: -55 °C 汽车标准: AEC-Q101 高度: 1.02mm 典型栅极电荷@Vgs: 27 nC @ 8V 最高工作温度: +150 °C
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: 达尔 MOSFET, N沟道, Vds=30 V, 12（状态）A，15（稳定）A, 8引脚 TSSOP封装
通道类型: N 最大连续漏极电流: 12（状态）A，15（稳定）A 最大漏源电压: 30 V 封装类型: TSSOP 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 8 最大漏源电阻值: 50 mΩ 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 1V 最小栅阈值电压: 0.4V 最大功率耗散: 1.4 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: ±12 V 每片芯片元件数目: 1 宽度: 3.1mm 长度: 4.5mm 正向二极管电压: 1.2V 最低工作温度: -55 °C 汽车标准: AEC-Q101 高度: 1.02mm 典型栅极电荷@Vgs: 27 nC @ 8V 最高工作温度: +150 °C
ZVP4424ZTA
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, P沟道, Si, Vds=240 V, 200 mA, 3引脚 SOT-89封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 200 mA 最大漏源电压: 240 V 封装类型: SOT-89 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 11 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 2.6 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -40 V、+40 V 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 高度: 1.6mm 长度: 4.6mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 2.6mm 晶体管材料: Si
供应商: RS
分类: MOSFET
描述: DiodesZetex MOSFET, P沟道, Si, Vds=240 V, 200 mA, 3引脚 SOT-89封装
通道类型: P 最大连续漏极电流: 200 mA 最大漏源电压: 240 V 封装类型: SOT-89 安装类型: 表面贴装 引脚数目: 3 最大漏源电阻值: 11 Ω 通道模式: 增强 最大栅阈值电压: 2V 最大功率耗散: 2.6 W 晶体管配置: 单 最大栅源电压: -40 V、+40 V 每片芯片元件数目: 1 最低工作温度: -55 °C 高度: 1.6mm 长度: 4.6mm 最高工作温度: +150 °C 宽度: 2.6mm 晶体管材料: Si
GBU404
供应商: RS
分类: 整流桥
描述: DiodesZetex 单相整流桥, 4A峰值平均正向电流, 400V峰值反向重复电压, 通孔安装, 4引脚, GBU封装
电桥类型: 单相 峰值平均正向电流: 4A 峰值反向重复电压: 400V 安装类型: 通孔 封装类型: GBU 引脚数目: 4 配置: 单 峰值非重复正向浪涌电流: 150A 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -55 °C 峰值正向电压: 1V 峰值反向电流: 50µA 长度: 22.3mm 宽度: 3.56mm 高度: 18.8mm 尺寸: 22.3 x 3.56 x 18.8mm
供应商: RS
分类: 整流桥
描述: DiodesZetex 单相整流桥, 4A峰值平均正向电流, 400V峰值反向重复电压, 通孔安装, 4引脚, GBU封装
电桥类型: 单相 峰值平均正向电流: 4A 峰值反向重复电压: 400V 安装类型: 通孔 封装类型: GBU 引脚数目: 4 配置: 单 峰值非重复正向浪涌电流: 150A 最高工作温度: +150 °C 最低工作温度: -55 °C 峰值正向电压: 1V 峰值反向电流: 50µA 长度: 22.3mm 宽度: 3.56mm 高度: 18.8mm 尺寸: 22.3 x 3.56 x 18.8mm
AP7381-28V-A
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器控制器, 2.8 V输出, 150mA最大输出, TO-92封装
最大电流时的降电压: 1000mV 输出电压: 2.8 V 输出类型: 固定 封装类型: TO-92 最大输出电流: 150mA 安装类型: 通孔 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 极性: 正极 输出数目: 1 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 启用: 是 尺寸: 4.8 x 3.8 x 4.7mm 宽度: 3.8mm 高度: 4.7mm 长度: 4.8mm 线路调节: 0.05 %/V 负荷调节: 0.5 V
供应商: RS
分类: LDO低压差线性稳压器
描述: DiodesZetex LDO 电压调节器控制器, 2.8 V输出, 150mA最大输出, TO-92封装
最大电流时的降电压: 1000mV 输出电压: 2.8 V 输出类型: 固定 封装类型: TO-92 最大输出电流: 150mA 安装类型: 通孔 最小输入电压: 3.3 V 最大输入电压: 40 V 引脚数目: 3 极性: 正极 输出数目: 1 静态电流: 2.5µA 最低工作温度: -40°C 最高工作温度: +125 °C 启用: 是 尺寸: 4.8 x 3.8 x 4.7mm 宽度: 3.8mm 高度: 4.7mm 长度: 4.8mm 线路调节: 0.05 %/V 负荷调节: 0.5 V