SANYO SEMICONDUCTOR (U.S.A) CORPORATION

商品列表
1SS366-TB-E
供应商: DigiKey
分类: RF 二极管
SBT350-10L
供应商: DigiKey
分类: 二极管,整流器 - 阵列
2SA1778-3-TB-E
供应商: DigiKey
分类: RF 晶体管(BJT)
CPH6311-TL-E
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: Digi-Reel® FET类型: MOSFET P 通道,金属氧化物 FET功能: 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss): 20V 电流-连续漏极(Id)(25°C时): 5A(Ta) 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 42 毫欧 @ 3A,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值): - 不同Vgs时的栅极电荷(Qg): 31nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss): 1230pF @ 10V 功率-最大值: 1.6W 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装: 6-CPH 其它名称: 869-1140-6
CPH3427-TL-E
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: Digi-Reel® FET类型: MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss): 100V 电流-连续漏极(Id)(25°C时): 1A(Ta) 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 630 毫欧 @ 500mA,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值): - 不同Vgs时的栅极电荷(Qg): 6.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss): 240pF @ 20V 功率-最大值: 1W 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SC-96 供应商器件封装: 3-CPH 其它名称: 869-1131-6
FW342-TL-E
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 阵列 系列: - 包装: Digi-Reel® FET类型: N 和 P 沟道 FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压(Vdss): 30V 电流-连续漏极(Id)(25°C时): 6A,5A 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 33 毫欧 @ 6A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值): - 不同Vgs时的栅极电荷(Qg): 16nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss): 850pF @ 10V 功率-最大值: 1.8W 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC(0.173,4.40mm 宽) 供应商器件封装: 8-SOP 其它名称: 869-1167-6
SBJ100-04J
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 二极管,整流器 - 阵列 系列: - 包装: 散装 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向(Vr)(最大值): 40V 电流-平均整流(Io)(每二极管): 10A 不同If时的电压-正向(Vf): 540mV @ 5A 速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): - 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 40V 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 整包 供应商器件封装: TO-220ML 其它名称: 869-1030
CPH6006-TL-E
供应商: DigiKey
分类: RF 晶体管(BJT)
CPH6615-TL-E
供应商: DigiKey
分类: FET - 阵列
TND512MD-TL-E
供应商: DigiKey
分类: 集成电路(IC)
类别: 集成电路(IC) 家庭: PMIC - 电机驱动器,控制器 系列: - 包装: Digi-Reel® 电机类型-步进: - 电机类型-AC,DC: 无刷 DC(BLDC) 功能: 驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置: 半桥(3) 接口: 并联 技术: CMOS 步进分辨率: - 应用: 通用 电流-输出: 340mA 电压-电源: 10 V ~ 20 V 电压-负载: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 16-SOIC(0.173,4.40mm 宽) 供应商器件封装: 16-MFP 其它名称: 869-1214-6