VISHAY SILICONIX
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SIP21106DT-45-E3
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LIN 4.5V 150MA TSOT23-5
制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 输出配置: 正 输出类型: 固定 电压 - 输入（最大值）: 6V 电压 - 输出（最小值/固定）: 4.5V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.22V @ 150mA 电流 - 输出: 150mA PSRR: 75dB ~ 40dB（1kHz ~ 100kHz） 控制特性: 使能 保护功能: 超温，短路 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 供应商器件封装: TSOT-23-5 稳压器数: 1 电流 - 静态 (Iq): 85 µA 基本产品编号: SIP211
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LIN 4.5V 150MA TSOT23-5
制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 输出配置: 正 输出类型: 固定 电压 - 输入（最大值）: 6V 电压 - 输出（最小值/固定）: 4.5V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.22V @ 150mA 电流 - 输出: 150mA PSRR: 75dB ~ 40dB（1kHz ~ 100kHz） 控制特性: 使能 保护功能: 超温，短路 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 供应商器件封装: TSOT-23-5 稳压器数: 1 电流 - 静态 (Iq): 85 µA 基本产品编号: SIP211
IRFZ34STRL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 50 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.7W（Ta），88W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 46 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1200 pF @ 25 V 基本产品编号: IRFZ34
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 50 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.7W（Ta），88W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 46 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1200 pF @ 25 V 基本产品编号: IRFZ34
SQ4840EY-T1-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 20.7A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9 毫欧 @ 14A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 62nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2440pF @ 20V 功率-最大值: 7.1W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 20.7A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9 毫欧 @ 14A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 62nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2440pF @ 20V 功率-最大值: 7.1W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
SQD50P04-13L-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN其它: SIL-016-2014-Rev-2 17/Mar/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET P 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 50A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13 毫欧 @ 17A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 90nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 3590pF @ 20V 功率-最大值: 83W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak）
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN其它: SIL-016-2014-Rev-2 17/Mar/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET P 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 50A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13 毫欧 @ 17A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 90nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 3590pF @ 20V 功率-最大值: 83W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak）
SJM304BCC01
供应商: DigiKey
分类: 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Vishay Siliconix 系列: * 零件状态: 在售
供应商: DigiKey
分类: 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Vishay Siliconix 系列: * 零件状态: 在售
SQ2348ES-T1-GE3
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-002-2015-Rev-1 03/Mar/2015 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 24 毫欧 @ 12A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 14.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 540pF @ 15V 功率-最大值: 3W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: TO-236
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
视频文件: MOSFET Technologies for Power Conversion PCN组件/产地: SIL-002-2015-Rev-1 03/Mar/2015 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 24 毫欧 @ 12A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 14.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 540pF @ 15V 功率-最大值: 3W 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: TO-236
SI7392ADP-T1-E3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 30A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7.5 毫欧 @ 12.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 38nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1465pF @ 15V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 5W（Ta），27.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 封装/外壳: PowerPAK® SO-8
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 30A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7.5 毫欧 @ 12.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 38nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1465pF @ 15V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 5W（Ta），27.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 封装/外壳: PowerPAK® SO-8
SI1058X-T1-GE3
供应商: DigiKey
分类: FET - 单
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 20V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 91 毫欧 @ 1.3A，4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 1.55V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 5.9nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 380pF @ 10V 功率-最大值: 236mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: SC-89-6
供应商: DigiKey
分类: FET - 单
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: TrenchFET® 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 20V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 91 毫欧 @ 1.3A，4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 1.55V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 5.9nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 380pF @ 10V 功率-最大值: 236mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: SC-89-6
SI91872DMP-30-E3
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LIN 3V 300MA MLP33-5
制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 输出配置: 正 输出类型: 固定 电压 - 输入（最大值）: 6V 电压 - 输出（最小值/固定）: 3V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.415V @ 300mA 电流 - 输出: 300mA PSRR: 60dB ~ 30dB（1kHz ~ 100kHz） 控制特性: 使能 保护功能: 超温，反极性，短路 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: PowerPAK® MLP33-5 供应商器件封装: PowerPAK® MLP33-5 稳压器数: 1 电流 - 静态 (Iq): 170 µA 电流 - 供电（最大值）: 330 µA 基本产品编号: SI91872
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LIN 3V 300MA MLP33-5
制造商: Vishay Siliconix 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 输出配置: 正 输出类型: 固定 电压 - 输入（最大值）: 6V 电压 - 输出（最小值/固定）: 3V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.415V @ 300mA 电流 - 输出: 300mA PSRR: 60dB ~ 30dB（1kHz ~ 100kHz） 控制特性: 使能 保护功能: 超温，反极性，短路 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: PowerPAK® MLP33-5 供应商器件封装: PowerPAK® MLP33-5 稳压器数: 1 电流 - 静态 (Iq): 170 µA 电流 - 供电（最大值）: 330 µA 基本产品编号: SI91872
SIS447DN-T1-GE3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
制造商: Vishay Siliconix 系列: - 零件状态: 有源 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±12V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 漏源电压（Vdss）: 20 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 181 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5590 pF @ 10 V 基本产品编号: SIS447
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
制造商: Vishay Siliconix 系列: - 零件状态: 有源 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±12V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 漏源电压（Vdss）: 20 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 181 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5590 pF @ 10 V 基本产品编号: SIS447